Zobrazeno 1 - 10
of 841
pro vyhledávání: '"Brunet, L."'
Autor:
Pierone G Jr, Brunet L, Fusco JS, Henegar CE, Sarkar S, Van Wyk J, Vannappagari V, Wohlfeiler MB, Fusco GP
Publikováno v:
HIV/AIDS: Research and Palliative Care, Vol Volume 16, Pp 133-140 (2024)
Gerald Pierone Jr,1 Laurence Brunet,2 Jennifer S Fusco,2 Cassidy E Henegar,3 Supriya Sarkar,3 Jean Van Wyk,4 Vani Vannappagari,3 Michael B Wohlfeiler,5 Gregory P Fusco2 1Department of Adult Primary Care, Whole Family Health Center, Vero Beach, FL, US
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/5c87bc8536824d33b72cfa113af30426
Autor:
Zerhouni Abdou, N., Reboh, S., Brunet, L., Alepidis, M., Acosta Alba, P., Cristoloveanu, S., Ionica, I.
Publikováno v:
In Solid State Electronics July 2024 217
Publikováno v:
In Psychologie du travail et des organisations March 2024 30(1):29-44
Autor:
Bosch, D., Alba, P. Acosta, Kerdiles, S., Benevent, V., Perrot, C., Lassarre, J., Richy, J., Lacord, J., Sklenard, B., Brunet, L., Batude, P., Fenouillet-Beranger, C., Lattard, D., Colinge, J. P., Balestra, F., Andrieu, F.
To take fully advantage of Junctionless transistor (JLT) low-cost and low-temperature features we investigate a 475 degC process to create onto a wafer a thin poly-Si layer on insulator. We fabricated a 13nm doped (Phosphorous, 1E19 at/cm3) poly-sili
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2011.15061
Autor:
Boutayeb, A., Theodorou, C., Golanski, D., Batude, P., Brunet, L., Bosch, D., Guyader, F., Joblot, S., Ponthenier, F., Lacord, J.
Publikováno v:
In Solid State Electronics November 2023 209
Autor:
Zerhouni Abdou, N., Reboh, S., Alepidis, M., Brunet, L., Acosta Alba, P., Cristoloveanu, S., Ionica, I.
Publikováno v:
In Solid State Electronics October 2023 208
Publikováno v:
In Computers in Human Behavior March 2023 140
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Boulard, F., Gros, V., Porzier, C., Brunet, L., Lapras, V., Fournel, F., Truffier-Boutry, D., Autillo, D., Ruault, P., Keovisai, M., Posseme, N.
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering 15 September 2022 265