Zobrazeno 1 - 10
of 465
pro vyhledávání: '"Brun, X."'
Publikováno v:
In IFAC PapersOnLine July 2017 50(1):15766-15772
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Neurophysiologie Clinique / Clinical Neurophysiology June 2013 43(3):189-195
Publikováno v:
In Control Engineering Practice 2006 14(8):923-933
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Arumughan, J., Martel, B., Raymond, G., Schmitt, S., Theobald, J., Picoulet, C., Brun, X., Kopecek, R.
32nd European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition; 545-549
The PERC solar cells performances fabricated using different base resistivities and oxygen concentrations are found to be correlated. Samples with [Oi] concentration of 1
The PERC solar cells performances fabricated using different base resistivities and oxygen concentrations are found to be correlated. Samples with [Oi] concentration of 1
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::614cf834bea7281e9f10040f3eb110d1
High Quality Thermal Donor Doped Czochralski Silicon Ingot for Industrial Heterojunction Solar Cells
Autor:
Jay, F., Martel, B., Tomassini, M., Peyronnet-Dremière, R., Stadler, J., Veirman, J., Brun, X., Muñoz, D., Roux, C., Jouini, A.
31st European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition; 316-321
Phosphorus doped Czochralski silicon ingots are industrially grown to produce good quality wafers in order to fabricate high efficiency hydrogenated amorphous Si/crystall
Phosphorus doped Czochralski silicon ingots are industrially grown to produce good quality wafers in order to fabricate high efficiency hydrogenated amorphous Si/crystall
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::dbef53056b2a13578a80c6c3bc965083
Publikováno v:
ECS Journal of Solid State Science and Technology; January 2024, Vol. 13 Issue: 11 p113002-113002, 1p