Zobrazeno 1 - 10
of 136
pro vyhledávání: '"Bruchhaus, R."'
Pt/Ti metallisation bilayers are used as bottom electrodes for ferroelectric thin films. During deposition of the ferroelectric films, these electrodes are exposed to elevated temperatures causing modifications of the Pt/Ti bottom electrode. Diffusio
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1502.03413
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 6/1/2006, Vol. 99 Issue 11, p114104, 5p, 3 Charts, 4 Graphs
Autor:
Zybill, C.E. *, Boubekeur, H., Radojkovic, P., Schwartzkopff, M., Hartmann, E., Koch, F., Groos, G., Rezek, B., Bruchhaus, R., Wersing, W.
Publikováno v:
In Surface Science 1 October 1999 440(1-2):221-230
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
The paper reports on the characterization of bipolar resistive switching materials and their integration into nanocrossbar structures, as well as on different memory operation schemes in terms of memory density and the challenging problem of sneak pa
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______610::34e4aac30bd1e088eca4911be466694b
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/226540
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/226540
Autor:
Baeumer, C., Raab, N., Menke, T., Schmitz, C., Rosezin, R., Müller, P., Andrä, M., Feyer, V., Bruchhaus, R., Gunkel, F., Schneider, C. M., Waser, R., Dittmann, R.
Publikováno v:
Nanoscale; 8/7/2016, Vol. 8 Issue 29, p13967-13975, 9p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
2011 11th IEEE International Conference on Nanotechnology; 1/ 1/2011, p1474-1478, 5p
Autor:
Hermes, C., Lentz, F., Waser, R., Bruchhaus, R., Menzel, S., Fleck, K., Bottger, U., Wimmer, M., Salinga, M., Wuttig, M.
Publikováno v:
Non-Volatile Memory Technology Symposium (NVMTS), 2011 11th Annual; 2011, p1-4, 4p
Autor:
Kreupl, F., Bruchhaus, R., Majewski, P., Philipp, J.B., Symanczyk, R., Happ, T., Arndt, C., Vogt, M., Zimmermann, R., Buerke, A., Graham, A.P., Kund, M.
Publikováno v:
2008 IEEE International Electron Devices Meeting; 2008, p1-4, 4p