Zobrazeno 1 - 10
of 271
pro vyhledávání: '"Brubaker M"'
Autor:
Wee SN, Liman C, Waters HC, Houle CR, Renteria M, Mukherjee SS, Surendran S, Marcovici J, Brubaker M, Rasmussen Meehan S, de Jong-Laird A, Rush AJ, Sarkar J
Publikováno v:
ClinicoEconomics and Outcomes Research, Vol Volume 15, Pp 195-208 (2023)
Soon Nan Wee,1,* Christian Liman,1,* Heidi C Waters,2 Christy R Houle,3 Miguel Renteria,1 Sankha S Mukherjee,1 Subina Surendran,1 Joshua Marcovici,1 Malaak Brubaker,2 Stine Rasmussen Meehan,4 Anne de Jong-Laird,2 A John Rush,5– 7 Joydeep Sa
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/d69f08c5e0354ee78aafd4d0d3025382
Autor:
Townsend M, Pareja K, Buchanan-Hughes A, Worthington E, Pritchett D, Brubaker M, Houle C, Mose TN, Waters H
Publikováno v:
Patient Preference and Adherence, Vol Volume 16, Pp 373-401 (2022)
Michael Townsend,1 Kristin Pareja,2 Amy Buchanan-Hughes,3 Emma Worthington,4 David Pritchett,4 Malaak Brubaker,5 Christy Houle,6 Tenna Natascha Mose,6 Heidi Waters2 1Gateway Counseling Center, New York, NY, USA; 2Department of Global Value and Real W
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/fe3dc3052424405bb8ba19e639710b42
Autor:
Sanford, N. A., Blanchard, P. T., Brubaker, M. D., Rishinaramangalam, A. K., Zhang, Q., Roshko, A., Feezell, D. F., Klein, B. D. B., Davydov, A. V.
Laser-assisted atom probe tomography (APT) was used to measure the indium mole fraction x of c-plane, MOCVD-grown, GaN/In(x)Ga(1-x)N/GaN test structures and the results were compared with Rutherford backscattering analysis (RBS). Four sample types we
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2102.06340
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Livestock Science December 2014 170:193-202
Autor:
Cutshaw, R.L. *, Schinckel, A.P. *, Schultz, M.M. *, Fix, J.S. †, Brubaker, M. ‡, Einstein, M.E. *
Publikováno v:
In The Professional Animal Scientist October 2014 30(5):534-542
Publikováno v:
Journal of Public Health, 2014 Jun 01. 36(2), 235-242.
Externí odkaz:
https://www.jstor.org/stable/45158345
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering 2007 84(9):2294-2297
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.