Zobrazeno 1 - 10 of 258 pro vyhledávání: '"Brotherton, S D"'
2
Akademický článek
Grain boundary evaluation in sequentially laterally solidified polycrystalline-silicon devices.
Autor: Valletta, A., Bonfiglietti, A., Rapisarda, M., Mariucci, L., Fortunato, G., Brotherton, S. D.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 5/1/2007, Vol. 101 Issue 9, p094502, 11p, 1 Diagram, 2 Charts, 14 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Electrical characterization of directionally solidified polycrystalline silicon.
Autor: Bonfiglietti, A., Valletta, A., Gaucci, P., Mariucci, L., Fortunato, G., Brotherton, S. D.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 8/1/2005, Vol. 98 Issue 3, p033702, 9p, 2 Black and White Photographs, 5 Charts, 8 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Dopant and defect interactions in polycrystalline silicon thin-film transistors.
Autor: Valletta, A., Mariucci, L., Bonfiglietti, A., Fortunato, G., Brotherton, S. D.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 5/15/2005, Vol. 97 Issue 10, p104515-1-104515-7, 7p, 9 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Comparison of electrical defects in Ge+ and Si+ preamorphized BF2-implanted silicon.
Autor: Ayres, J. R., Brotherton, S. D., Clegg, J. B., Gill, A.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 11/1/1987, Vol. 62 Issue 9, p3628, 5p, 5 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Deep levels of copper in silicon.
Autor: Brotherton, S. D., Ayres, J. R., Gill, A., van Kesteren, H.W., Greidanus, F. J. A. M.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 9/1/1987, Vol. 62 Issue 5, p1826, 7p, 1 Diagram, 3 Charts, 5 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Defects and leakage currents in BF2-implanted preamorphized silicon.
Autor: Brotherton, S. D., Gowers, J. P., Young, N. D., Clegg, J. B., Ayres, J. R.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 11/15/1986, Vol. 60 Issue 10, p3567, 9p, 1 Black and White Photograph, 4 Charts, 12 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Annealing kinetics of the gold-iron complex in silicon.
Autor: Brotherton, S. D., Bradley, P., Gill, A.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 3/15/1985, Vol. 57 Issue 6, p1783, 8p, 1 Chart, 13 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Photocurrent deep level transient spectroscopy in silicon.
Autor: Brotherton, S. D.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; May1984, Vol. 55 Issue 10, p3636-3643, 8p
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Electrical observation of the Au-Fe complex in silicon.
Autor: Brotherton, S. D., Bradley, P., Gill, A., Weber, E. R.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Feb1984, Vol. 55 Issue 4, p952-956, 5p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje