Zobrazeno 1 - 10 of 51 pro vyhledávání: '"Bringans, R. D."'
1
Akademický článek
COLOR INDICES OF HR 1653
Autor: BRINGANS, R. D., SULLIVAN, D. J ., TRODAHL, H. J .
Publikováno v: Publications of the Astronomical Society of the Pacific, 1974 Oct 01. 86(513), 693-696.
Externí odkaz: https://www.jstor.org/stable/40675602
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Silicon surface passivation by hydrogen termination: A comparative study of preparation methods.
Autor: Fenner, D. B., Biegelsen, D. K., Bringans, R. D.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 7/1/1989, Vol. 66 Issue 1, p419, 6p
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
The effect of a Ga prelayer on the beginning of GaAs epitaxy on Si.
Autor: Bringans, R. D., Olmstead, M. A., Ponce, F. A., Biegelsen, D. K., Krusor, B. S., Yingling, R. D.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 10/1/1988, Vol. 64 Issue 7, p3472, 4p, 4 Black and White Photographs, 1 Diagram, 1 Graph
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
The use of graded InGaAs layers and patterned substrates to remove threading dislocations from GaAs on Si.
Autor: Knall, J., Romano, L. T., Biegelsen, D. K., Bringans, R. D., Chui, H. C., Harris, J. S., Treat, D. W., Bour, D. P.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 9/1/1994, Vol. 76 Issue 5, p2697, 6p, 2 Black and White Photographs, 7 Diagrams
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
6
ZnSe Heteroepitaxial Growth on Si (100) and GaAs (100)
Autor: Biegelsen, D. K., Bringans, R. D., Northrup, J. E., Swartz, L. -E.
Publikováno v: Scanning Microscopy
The early stages of ZnSe heteroepitaxy on Si(100), Si(100):As and GaAs(100) are compared and contrasted, based on results of scanning tunneling microscopy and photoemission spectroscopy. High Se reactivity with the substrate constituents leads to bul
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______1459::acea71ade042cd1f3176c0f2b516128b
https://digitalcommons.usu.edu/context/microscopy/article/1965/viewcontent/WDCcenterscan1994BiegelsenBringansNorthrup_ZnSeHeteroepitaxialGrowth.pdf
Zobrazit plný text záznamu
7
Conference
GaAs SURFACES OBSERVED BY SCANNING TUNNELING MICROSCOPY.
Autor: BIEGELSEN, D. K., BRINGANS, R. D., NORTHRUP, J. E., SWARTZ, L.-E.
Publikováno v: Physics of Semiconductors - Proceedings of the 20th International Conference (In 3 Volumes); 1990, p199-206, 8p
Zobrazit plný text záznamu
8
Conference
In situ patterning of impurity induced layer disordering and other applications of laser patterned desorption.
Autor: Epler, J. E., Bringans, R. D., Paoli, T. L., Treat, D. W.
Publikováno v: AIP Conference Proceedings; Dec1991, Vol. 240 Issue 1, p104-110, 7p
Zobrazit plný text záznamu
9
Conference
Application of Blue Diode Lasers to Printing.
Autor: Bringans, R. D.
Publikováno v: MRS Online Proceedings Library; 1997, Vol. 482 Issue 1, p1163-1170, 8p
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Energy bands of the cadmium halides from electron energy loss spectroscopy.
Autor: Bringans, R D, Liang, W Y
Publikováno v: Journal of Physics C: Solid State Physics; 1981, Vol. 14 Issue 7, p1065-1092, 28p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje