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Autor:
Brendler, Leonardo Heitich
Publikováno v:
Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGS
Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)
instacron:UFRGS
Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)
instacron:UFRGS
Com o avanço da microeletrônica, limitações físicas foram encontradas em dispositivos MOSFET. Para superar essas limitações, foram introduzidos dispositivos multigate, como a tecnologia FinFET, permitindo a continuidade do dimensionamento tecn
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