Zobrazeno 1 - 10
of 1 033
pro vyhledávání: '"Brehm, M."'
Autor:
Spindlberger, L., Aberl, J., Vukušić, L., Fromherz, T., Hartmann, J.-M., Fournel, F., Prucnal, S., Murphy-Armando, F., Brehm, M.
Publikováno v:
In Materials Science in Semiconductor Processing October 2024 181
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Experimental & Clinical Cancer Research (17569966); 10/2/2024, Vol. 43 Issue 1, p1-16, 16p
Publikováno v:
In Structures December 2021 34:4124-4141
Autor:
Grydlik, M., Hackl, F., Groiss, H., Glaser, M., Halilovic, A., Fromherz, T., Jantsch, W., Schäffler, F., Brehm, M.
Publikováno v:
ACS Photonics 3, 298-303 (2016)
Semiconductor light emitters compatible with standard Si integration technology (SIT) are of particular interest for overcoming limitations in the operating speed of microelectronic devices 1-3. Light sources based on group-IV elements would be SIT c
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1505.03380
Autor:
Kraus, V., Dornfeld, E., Elpers, C., Lohmann, H., Weddige, A., Hagspiel, S., Kirschner, J., Brehm, M., Blank, C., Schubert, J., Schimmel, M., Pacheè, S., Mohrbach, M., Karenfort, M., Kamp, G., Lücke, T., Neumann, H., Lutz, S., Gierse, A., Sievers, S., Schiffmann, H., de Soye, I., Trollmann, R., Candova, A., Rosner, M., Neu, A., Romer, G., Seidel, U., John, R., Hofmann, C., Schulz, Kinder, S., Bertolatus, A., Scheidtmann, K., Lasogga, R., Leiz, S., Alber, M., Kranz, J., Bajer-Kornek, B., Seidl, R., Novak, A., Storm van's Gravesande, K., Calabrese, P., Blaschek, A., Rostásy, K., Huppke, P., Rothe, L., Mall, V., Kessler, J., Kalbe, E.
Publikováno v:
In European Journal of Paediatric Neurology November 2019 23(6):792-800
Publikováno v:
In Materials Today Bio June 2019 3
Autor:
Klenovský, P., Brehm, M., Křápek, V., Lausecker, E., Munzar, D., Hackl, F., Steiner, H., Fromherz, T., Bauer, G., Humlíček, J.
Publikováno v:
Physical Review B 86, 115305 (2012)
The pumping intensity (I) dependence of the photoluminescence (PL) spectra of perfectly laterally two-dimensionally ordered SiGe quantum dots on Si(001) substrates was studied. The PL results from recombinations of holes localized in the SiGe quantum
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1209.6230
Autor:
Qazilbash, M. M., Brehm, M., Andreev, G. O., Frenzel, A., Ho, P. -C., Chae, Byung-Gyu, Kim, Bong-Jun, Yun, Sun Jin, Kim, Hyun-Tak, Balatsky, A. V., Shpyrko, O. G., Maple, M. B., Keilmann, F., Basov, D. N.
Publikováno v:
Phys. Rev. B 79, 075107 (2009)
We present a detailed infrared study of the insulator-to-metal transition (IMT) in vanadium dioxide (VO2) thin films. Conventional infrared spectroscopy was employed to investigate the IMT in the far-field. Scanning near-field infrared microscopy dir
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/0904.0294
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.