Zobrazeno 1 - 10
of 472
pro vyhledávání: '"Brehm, M A"'
Autor:
Spindlberger, L., Aberl, J., Vukušić, L., Fromherz, T., Hartmann, J.-M., Fournel, F., Prucnal, S., Murphy-Armando, F., Brehm, M.
Publikováno v:
In Materials Science in Semiconductor Processing October 2024 181
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Structures December 2021 34:4124-4141
Autor:
Grydlik, M., Hackl, F., Groiss, H., Glaser, M., Halilovic, A., Fromherz, T., Jantsch, W., Schäffler, F., Brehm, M.
Publikováno v:
ACS Photonics 3, 298-303 (2016)
Semiconductor light emitters compatible with standard Si integration technology (SIT) are of particular interest for overcoming limitations in the operating speed of microelectronic devices 1-3. Light sources based on group-IV elements would be SIT c
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1505.03380
Autor:
Kraus, V., Dornfeld, E., Elpers, C., Lohmann, H., Weddige, A., Hagspiel, S., Kirschner, J., Brehm, M., Blank, C., Schubert, J., Schimmel, M., Pacheè, S., Mohrbach, M., Karenfort, M., Kamp, G., Lücke, T., Neumann, H., Lutz, S., Gierse, A., Sievers, S., Schiffmann, H., de Soye, I., Trollmann, R., Candova, A., Rosner, M., Neu, A., Romer, G., Seidel, U., John, R., Hofmann, C., Schulz, Kinder, S., Bertolatus, A., Scheidtmann, K., Lasogga, R., Leiz, S., Alber, M., Kranz, J., Bajer-Kornek, B., Seidl, R., Novak, A., Storm van's Gravesande, K., Calabrese, P., Blaschek, A., Rostásy, K., Huppke, P., Rothe, L., Mall, V., Kessler, J., Kalbe, E.
Publikováno v:
In European Journal of Paediatric Neurology November 2019 23(6):792-800
Publikováno v:
In Materials Today Bio June 2019 3
Autor:
Klenovský, P., Brehm, M., Křápek, V., Lausecker, E., Munzar, D., Hackl, F., Steiner, H., Fromherz, T., Bauer, G., Humlíček, J.
Publikováno v:
Physical Review B 86, 115305 (2012)
The pumping intensity (I) dependence of the photoluminescence (PL) spectra of perfectly laterally two-dimensionally ordered SiGe quantum dots on Si(001) substrates was studied. The PL results from recombinations of holes localized in the SiGe quantum
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1209.6230
Autor:
Qazilbash, M. M., Brehm, M., Andreev, G. O., Frenzel, A., Ho, P. -C., Chae, Byung-Gyu, Kim, Bong-Jun, Yun, Sun Jin, Kim, Hyun-Tak, Balatsky, A. V., Shpyrko, O. G., Maple, M. B., Keilmann, F., Basov, D. N.
Publikováno v:
Phys. Rev. B 79, 075107 (2009)
We present a detailed infrared study of the insulator-to-metal transition (IMT) in vanadium dioxide (VO2) thin films. Conventional infrared spectroscopy was employed to investigate the IMT in the far-field. Scanning near-field infrared microscopy dir
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/0904.0294
Autor:
Qazilbash, M. M., Li, Z. Q., Podzorov, V., Brehm, M., Keilmann, F., Chae, B. G., Kim, H. T., Basov, D. N.
Publikováno v:
Applied Physics Letters 92, 241906 (2008)
We investigate the changes in the infrared response due to charge carriers introduced by electrostatic doping of the correlated insulator vanadium dioxide (VO2) integrated in the architecture of the field effect transistor. Accumulation of holes at t
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/0806.4826