Zobrazeno 1 - 10 of 73 pro vyhledávání: '"Brebner, J. L"'
2
Akademický článek
Structural properties of InAs nanocrystals formed by sequential implantation of In and As ions in the Si (100) matrix.
Autor: Tchebotareva, A., Brebner, J. L., Roorda, S., Desjardins, P., White, C. W.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 10/15/2002, Vol. 92 Issue 8, p4664, 8p, 2 Black and White Photographs, 6 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Analysis of the Stokes shift in InAsP/InP and InGaP/InP multiple quantum wells.
Autor: Ait-Ouali, A., Brebner, J. L.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 12/15/1999, Vol. 86 Issue 12, p6803, 7p, 1 Chart, 4 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Photoluminescence study of strain relaxation in Ga1-xInxAs/GaAs single heterostructures.
Autor: Morris, D., Roth, A. P., Masut, R. A., Lacelle, C., Brebner, J. L.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 10/15/1988, Vol. 64 Issue 8, p4135, 6p
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
The fabrication of TiN films by reactive evaporation and rapid thermal annealing.
Autor: Repeta, M., Dignard-Bailey, L., Currie, J. F., Brebner, J. L., Barla, K.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 4/15/1988, Vol. 63 Issue 8, p2796, 4p, 2 Black and White Photographs, 1 Chart, 6 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Band alignment engineering for high speed, low drive field quantum-confined Stark effect devices.
Autor: Yip, R.Y.-F., Desjardins, P., Isnard, L., Aít-Ouali, A., Marchand, H., Brebner, J. L., Currie, J. F., Masut, R. A.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 2/1/1998, Vol. 83 Issue 3, p1758, 12p, 4 Diagrams, 3 Charts, 8 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Si ion implantation-induced damage in fused silica probed by variable-energy positrons.
Autor: Knights, A. P., Simpson, P. J., Allard, L. B., Brebner, J. L., Albert, J.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 6/15/1996, Vol. 79 Issue 12, p9022, 7p, 1 Chart, 4 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Efficiency of TiN diffusion barrier between Al and Si prepared by reactive evaporation and rapid thermal annealing.
Autor: Gagnon, G., Currie, J. F., Brebner, J. L., Darwall, T.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 5/15/1996, Vol. 79 Issue 10, p7612, 9p, 4 Charts, 8 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Photoconductivity of InSb/GaAs heterostructures at low temperature.
Autor: Beaulieu, Y., Webb, J. B., Brebner, J. L.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 2/1/1996, Vol. 79 Issue 3, p1772, 7p, 1 Chart, 9 Graphs
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje