Zobrazeno 1 - 10
of 1 434
pro vyhledávání: '"Breakdown point"'
Autor:
Yijun Zuo, Hanwen Zuo
Publikováno v:
Axioms, Vol 13, Iss 5, p 295 (2024)
A novel regression method is introduced and studied. The procedure weights squared residuals based on their magnitude. Unlike the classic least squares which treats every squared residual as equally important, the new procedure exponentially down-wei
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/36f2eb567efd4397aa4044d24e375731
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 9, Pp 114-120 (2021)
A novel Si/SiC heterojunction Lateral Double-diffused Metal Oxide Semiconductor with the Semi-Insulating Polycrystalline Silicon field plate (SIPOS Si/SiC LDMOS) is proposed in this paper for the first time. The innovative terminal technology of Brea
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/08bfa1a75a084af892643ea1bc378770
Publikováno v:
Frontiers in Earth Science, Vol 10 (2022)
Global navigation satellite system technology has been widely used for high-precision, real-time monitoring of landslides. To improve forecasts and early warnings, the true deformation features must be extracted from the global navigation satellite s
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/ae0f6e1bcac5416384b62d2f87dc40aa
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 8, Pp 559-564 (2020)
In this paper, a new vertical double-diffused metal-oxide semiconductor field effect transistors (VDMOS) is proposed with the partial SiC/Si heterojunction (Partial SiC/Si VDMOS) under the drain electrode in this paper for the first time. The breakdo
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/6c691defe3184630bce1838587b3624b