Zobrazeno 1 - 10
of 143
pro vyhledávání: '"Brazil, Thomas J."'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Burke, Darren R., Brazil, Thomas J.
Publikováno v:
Burke, Darren R. ; Brazil, Thomas J. (2005) A new non-quasi-static non-linear MOSFET model based on physical analysis. In: Gallium Arsenide applications symposium. GAAS 2005, 3-7 ottobre 2005, Parigi.
This paper presents a novel approach to the physical modelling of Si based sub-micron MOSFETs. The model is based on a set of simplified transport equations for the conducting channel in a MOSFET. These equations incorporate non-quasi-static (NQS) ef
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::665f0f16c4d0735aca8a9b2d86e73dc1
http://amsacta.unibo.it/1162/
http://amsacta.unibo.it/1162/
Publikováno v:
Ó hAnnaidh, Breandán ; Brazil, Thomas J. (2003) A Globally-Continuous, Charge-Conservative, Non-linear Equivalent Circuit Model For RF MOSFETs. In: Gallium Arsenide applications symposium. GAAS 2003, 6-10 October 2003, Munich.
A non-linear equivalent circuit model for MOSFETs valid for DC, small and large-signal sim-ulations of high frequency circuit design is presented. The model is valid for a wide range of bias conditions and is globally continuous. Capacitances are der
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::03315b44aae9d0ef90485201c7f31df7
http://amsacta.unibo.it/599/
http://amsacta.unibo.it/599/
Autor:
Condon, Emer, Brazil, Thomas J.
Publikováno v:
Condon, Emer ; Brazil, Thomas J. (2002) A Simplified Non-Linear Physical Model for High Frequency FET’s. In: Gallium Arsenide applications symposium. GAAS 2002, 23-27 september 2002, Milano.
Direct numerical solution of device transport equations for a transistor, and device modelling approaches based on an equivalent circuit representation, are often seen as essentially competing approaches within non-linear high-frequency CAD. Each met
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::d02bbb5a644f5f247b669b34c6456c6f
Publikováno v:
Kallfass, Ingmar ; Zeuner, Marco ; Konig, Ulf ; Schumacher, Hermann ; Brazil, Thomas J. (2002) A Model for SiGe MODFETs with Improved Large-Signal Quality and Frequency Range. In: Gallium Arsenide applications symposium. GAAS 2002, 23-27 september 2002, Milano.
A new, analytic large-signal model for N-channel SiGe Modulation Doped Field Ef-fect Transistors (MODFETs) is presented. The model is based on a non-linear equivalent circuit and can be employed to fit the characteristics in the sub-threshold, linear
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::ceaa6fa86a9fec474eaec2924dd75c43
Publikováno v:
Cojocaru, Vicentiu I. ; Brazil, Thomas J. (2000) Low frequency dispersion effects on the input characteristics of microwave FETs. In: Gallium Arsenide applications symposium. GAAS 2000, 2-6 october 2000, Paris.
The paper presents the experimental results of a low frequency test carried on a packaged GaAs MESFET, emphasizing the presence of some significant dispersion effects in relation to the input C-V and I-V characteristics of the device. The test has be
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::3a7bea3097223c45c153b7f481b7d783
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.