Zobrazeno 1 - 10
of 473
pro vyhledávání: '"Bravaix, A"'
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability November 2023 150
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Micromachines, Vol 15, Iss 2, p 205 (2024)
A single photon avalanche diode (SPAD) cell using N-channel extended-drain metal oxide semiconductor (N-EDMOS) is tested for its hot-carrier damage (HCD) resistance. The stressing gate-voltage (VGS) dependence is compared to hot-hole (HH) injection,
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/8716c39e8dc44717abcb3bfe30bbf7dd
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability November 2021 126
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability November 2020 114
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability September 2017 76-77:13-24
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability September 2016 64:163-167
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability September 2016 64:158-162
Autor:
Tidjani Garba-Seybou, Xavier Federspiel, Frederic Monsieur, Mathieu Sicre, Florian Cacho, Joycelyn Hai, Alain Bravaix
Publikováno v:
2023 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d01066411cb929d8c48e1501297d6458
https://doi.org/10.1109/irps48203.2023.10117725
https://doi.org/10.1109/irps48203.2023.10117725