Zobrazeno 1 - 10
of 10
pro vyhledávání: '"Brasil, Maria J. S. P."'
We present here the electronic structure and optical properties of InGaAs quantum wells with barrier doped with Manganese. We calculated the electronic states and optical emission within the envelope function and effective mass approximations using t
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1509.07136
Autor:
Brasil, Maria J. S. P., Motisuke, P.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 10/1/1990, Vol. 68 Issue 7, p3370, 7p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Porphyrins & Phthalocyanines; Feb2005, Vol. 9 Issue 2, p89-93, 5p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Ossart, Pierre, Brasil, Maria J. S. P., Cardoso, Lisandro P., Ganière, Jean D., Horiuchi, Luciano, Decobert, Jean, Sacilotti, Marco
Publikováno v:
Japanese Journal of Applied Physics; May 1991, Vol. 30 Issue: 5 pL783-L783, 1p