Zobrazeno 1 - 10
of 88
pro vyhledávání: '"Bragaglia, Valeria"'
Autor:
Maher, Olivier, Bernini, Roy, Harnack, Nele, Gotsmann, Bernd, Sousa, Marilyne, Bragaglia, Valeria, Karg, Siegfried
With remarkable electrical and optical switching properties induced at low power and near room temperature (68C), vanadium dioxide (VO2) has sparked rising interest in unconventional computing among the phase-change materials research community. The
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2403.02822
Autor:
Bégon-Lours, Laura, Halter, Mattia, Pineda, Diana Dávila, Popoff, Youri, Bragaglia, Valeria, La Porta, Antonio, Jubin, Daniel, Fompeyrine, Jean, Offrein, Bert Jan
A Ferroelectric Analog Non-Volatile Memory based on a WOx electrode and ferroelectric HfZrO$_4$ layer is fabricated at a low thermal budget (~375$^\circ$C), enabling BEOL processes and CMOS integration. The devices show suitable properties for integr
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2309.12061
Autor:
Bégon-Lours, Laura, Halter, Mattia, Pineda, Diana Dávila, Bragaglia, Valeria, Popoff, Youri, La Porta, Antonio, Jubin, Daniel, Fompeyrine, Jean, Offrein, Bert Jan
A Ferroelectric Analog Non-Volatile Memory based on a WOx electrode and ferroelectric HfZrO4 layer is fabricated at a low thermal budget (~375C), enabling BEOL processes and CMOS integration. The devices show suitable properties for integration in cr
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2309.12051
Autor:
Halter, Mattia, Bégon-Lours, Laura, Bragaglia, Valeria, Sousa, Marilyne, Offrein, Bert Jan, Abel, Stefan, Luisier, Mathieu, Fompeyriney, Jean
Neuromorphic computing architectures enable the dense co-location of memory and processing elements within a single circuit. This co-location removes the communication bottleneck of transferring data between separate memory and computing units as in
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2001.06475
Autor:
Bragaglia, Valeria
In dieser Arbeit wird das Wachstum von dünnen quasi-kristallinen Ge-Sb-Te (GST) Schichten mittels Molekularstrahlepitaxie demonstriert, die zu einer geordneten Konfiguration von intrinsischen Kristallgitterfehlstellen führen. Es wird gezeigt, wie e
Externí odkaz:
http://edoc.hu-berlin.de/18452/19083
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Kellner, Jens, Bihlmayer, Gustav, Liebmann, Marcus, Otto, Sebastian, Pauly, Christian, Boschker, Jos Emiel, Bragaglia, Valeria, Cecchi, Stefano, Wang, Rui Ning, Deringer, Volker L., Küppers, Philipp, Bhaskar, Priyamvada, Golias, Evangelos, Sánchez-Barriga, Jaime, Dronskowski, Richard, Fauster, Thomas, Rader, Oliver, Calarco, Raffaella, Morgenstern, Markus
Phase change alloys are used for non-volatile random access memories exploiting the conductivity contrast between amorphous and metastable, crystalline phase. However, this contrast has never been directly related to the electronic band structure. He
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1708.08787
Autor:
Mitrofanov, Kirill V., Fons, Paul, Makino, Kotaro, Terashima, Ryo, Shimada, Toru, Kolobov, Alexander V., Tominaga, Junji, Bragaglia, Valeria, Giussani, Alessandro, Calarco, Raffaella, Riechert, Henning, Sato, Takahiro, Katayama, Tetsuo, Ogawa, Kanade, Togashi, Tadashi, Yabashi, Makina, Wall, Simon, Brewe, Dale, Hase, Muneaki
Publikováno v:
Scientific Reports Vol.6, 20633 (2016)
Phase-change materials based on Ge-Sb-Te alloys are widely used in industrial applications such as nonvolatile memories, but reaction pathways for crystalline-to-amorphous phase-change on picosecond timescales remain unknown. Femtosecond laser excita
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1705.09472
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.