Zobrazeno 1 - 10
of 28
pro vyhledávání: '"Boy, Johannes"'
Publikováno v:
APL Mater. 12, 051107 (2024)
The cross-over from quasi-two- to quasi-one-dimensional electron transport subject to transverse electric fields and perpendicular magnetic fields are studied in the diffusive to quasiballistic and zero-field to quantum Hall regime. In-plane gates an
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2212.12391
Autor:
Boy, Johannes
Diese Arbeit konzentriert sich auf die Charakterisierung der elektrischen und thermoelektrischen Eigenschaften zwischen T
This work focuses on the characterization of the electric and thermoelectric transport properties between T
This work focuses on the characterization of the electric and thermoelectric transport properties between T
Externí odkaz:
http://edoc.hu-berlin.de/18452/23884
The temperature dependence of the charge carrier density, mobility and Seebeck coefficient of melt-grown, bulk ZnGa2O4 single crystals was measured between 10 K and 310 K. The electrical conductivity at room temperature is about s = 286 S/cm due to a
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2001.10324
Autor:
Boy, Johannes, Handwerg, Martin, Ahrling, Robin, Mitdank, Rüdiger, Wagner, Günter, Galazka, Zbigniew, Fischer, Saskia F.
The temperature dependence of the Seebeck coefficient of homoepitaxial metal organic vapor phase (MOVPE) grown, silicon doped $\beta$-Ga$_2$O$_3$ thin films was measured relative to aluminum. For room temperature we found the relative Seebeck coeffic
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1812.02408
Autor:
Ahrling, Robin, Boy, Johannes, Handwerg, Martin, Chiatti, Olivio, Mitdank, Rüdiger, Wagner, Günter, Galazka, Zbigniew, Fischer, Saskia F.
Thin films of the wide band gap semiconductor $\beta$-Ga$_2$O$_3$ have a high potential for applications in transparent electronics and high power devices. However, the role of interfaces remains to be explored. Here, we report on fundamental limits
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1808.00308
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
The cross-over from quasi-two- to quasi-one-dimensional electron transport subject to transverse electric fields and perpendicular magnetic fields are studied in the diffusive to quasi-ballistic and zero-field to quantum Hall regime. In-plane gates a
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::50d2f3b6f2e5cc35c2371bd6f9f6a525
Publikováno v:
Materials Research Express; Jun2022, Vol. 9 Issue 6, p1-7, 7p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.