Zobrazeno 1 - 10
of 33
pro vyhledávání: '"Bowen, R. Chris"'
Autor:
Hegde, Ganesh, Bowen, R. Chris
Large scale Density Functional Theory (DFT) based electronic structure calculations are highly time consuming and scale poorly with system size. While semi-empirical approximations to DFT result in a reduction in computational time versus ab initio D
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1609.05737
The strong non-linear increase in Cu interconnect line resistance with a decrease in linewidth presents a significant obstacle to their continued downscaling. In this letter we use first principles density functional theory based electronic structure
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1601.06675
Autor:
Hegde, Ganesh, Bowen, R. Chris
The accuracy of a single s-orbital representation of Cu towards enabling multi-thousand atom ab initio calculations of electronic structure is evaluated in this work. If an electrostatic compensation charge of approximately 0.3 electrons per atom is
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1509.01204
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Hegde, Ganesh, Bowen, R. Chris
The effect of realistic metal electronic structure on the lower limit of resistivity in [100] oriented n-Si is investigated using full band Density Functional Theory and Semi-Empirical Tight Binding (TB) calculations. Using simulation unit cells guid
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1405.1317
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 4/1/1997, Vol. 81 Issue 7, p3207, 7p, 4 Diagrams, 2 Charts, 17 Graphs
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Other Nanotechnology Publications
Material layers with a thickness of a few nanometers are common-place in today’s semiconductor devices. Before long, device fabrication methods will reach a point at which the other two device dimensions are scaled down to few tens of nanometers. T
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______540::f2814bae1ee4fab305509c1859383996
http://docs.lib.purdue.edu/cgi/viewcontent.cgi?article=1152&context=nanodocs
http://docs.lib.purdue.edu/cgi/viewcontent.cgi?article=1152&context=nanodocs
Publikováno v:
2016 IEEE International Interconnect Technology Conference / Advanced Metallization Conference (IITC/AMC); 2016, p114-116, 3p
Publikováno v:
Physica Status Solidi (C); 2003, Vol. 0 Issue 4, p1149-1152, 4p