Zobrazeno 1 - 10
of 75
pro vyhledávání: '"Boutry, H."'
Autor:
Cerba, T., Hauchecorne, P., Martin, M., Moeyaert, J., Alcotte, R., Salem, B., Eustache, E., Bezard, P., Chevalier, X., Lombard, G., Bassani, F., David, S., Beainy, G., Tournié, E., Patriarche, G., Boutry, H., Bawedin, M., Baron, T.
Publikováno v:
In Journal of Crystal Growth 15 March 2019 510:18-22
Autor:
Hackens, B., Faniel, S., Delfosse, F., Gustin, C., Boutry, H., Huynen, I., Wallaert, X., Bollaert, S., Cappy, A., Bayot, V.
We report on measurements of the magnetoconductance of an open circular InGaAs quantum dot between 1.3K and 204K. We observe two types of magnetoconductance fluctuations: universal conductance fluctuations (UCFs), and 'focusing' fluctuations related
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0210093
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering 2010 87(3):522-526
Autor:
Cerba, T., Martin, M., Moeyaert, J., David, S., L Rouvière, J., Cerutti, L., Alcotte, R., B Rodriguez, J., Boutry, H., Franck BASSANI, Bogumilowicz, Y., Tournié, E., Baron, T.
Publikováno v:
17th European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy (EW-MOVPE17)
17th European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy (EW-MOVPE17), 2017, grenoble, France
HAL
17th European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy (EW-MOVPE17), 2017, grenoble, France
HAL
International audience
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::e4d6255df98aa9f5158e3209ed27427a
https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-01891389
https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-01891389
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Billaud, M., DUVERNAY, J., Grampeix, H., Pelissier, B., Martin, M., Baron, T., Boutry, H., Chalupa, Z., Cassé, M., Ernst, T., Vinet, M.
Publikováno v:
EUROSOI-ULIS 2015 : 2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon
EUROSOI-ULIS 2015 : 2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon, Jan 2015, Bologna, Italy. pp.113-116, ⟨10.1109/ULIS.2015.7063786⟩
EUROSOI-ULIS 2015 : 2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon, Jan 2015, Bologna, Italy. pp.113-116, ⟨10.1109/ULIS.2015.7063786⟩
International audience; Al 2 O 3 /InGaAs interface has been studied and optimized for a 300mm compatible process. XPS analysis and electrical measurements of MOS capacitors revealed that a NH4OH treatment associated with TMA precursor pulse before th
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::db2948bb59c9a1a9def1a3401d0338e6
https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-01877856
https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-01877856
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Pichonat, E., Galloo, J.S., Roelens, Y., Bollaert, S., Wallart, X., Cappy, A., Mateos, J., Gonzales, T., Boutry, H., Bayot, V., Berdnarz, L.
Publikováno v:
Trends in NanoTechnology, TNT 2003
Trends in NanoTechnology, TNT 2003, Sep 2003, Salamanca, Spain
Trends in NanoTechnology, TNT 2003, 2003, Salamanca, Spain
Trends in NanoTechnology, TNT 2003, Sep 2003, Salamanca, Spain
Trends in NanoTechnology, TNT 2003, 2003, Salamanca, Spain
International audience
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::1c35dae1474b6dd7fadd36b6c2d6218d
https://hal.science/hal-00146012
https://hal.science/hal-00146012