Zobrazeno 1 - 10
of 108
pro vyhledávání: '"Boutchich, M."'
The origin of the high leakage current measured in several vertical-type diamond Schottky devices is conjointly investigated by conducting probe atomic force microscopy (CP-AFM) and confocal micro-Raman/Photoluminescence (PL) imaging analysis. Local
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1404.0472
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering 2010 87(1):41-46
Autor:
Shamuilia, S., ev, V.V. Afanas’, Stesmans, A., McCarthy, I., Campbell, S.A., Boutchich, M., Lopes, J.M.J., Roeckerath, M., Heeg, T., Rije, E., Mantl, S.
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering 2008 85(12):2400-2402
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Sensors & Actuators: A. Physical 2005 121(1):52-58
Autor:
Souirti, Z., Lamkaddem, A., Ben El Bouazzaoui, M., Abiza, M., Hmidani, H., Janati Idrissi, A., Boutchich, M., Lahjouji, F., Chahidi, A., Kissani, N., Ouazzani, R.
Publikováno v:
In Epilepsy & Behavior September 2021 122
Autor:
Shamuilia, S., Afanas’ev, V. V., Stesmans, A., McCarthy, I., Campbell, S. A., Boutchich, M., Roeckerath, M., Heeg, T., Lopes, J. M. J., Schubert, J.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; Dec2008, Vol. 104 Issue 11, p114103, 6p, 1 Chart, 3 Graphs
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.