Zobrazeno 1 - 10
of 62
pro vyhledávání: '"Bouslama, Mohamed"'
Autor:
Delhoumi, Majed1 (AUTHOR) delhoumimajed@gmail.com, Bouslama, Mohamed Fadhel1 (AUTHOR), Achouri, Mohamed Sghaier1 (AUTHOR)
Publikováno v:
Journal of Natural History. Jan2022, Vol. 56 Issue 1-4, p103-114. 12p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Bouslama, Mohamed, Gaillard, Florent, Raja, P.V., Dupouy, Emmanuel, Chang, Christophe, Sommet, Raphaël, Nallatamby, Jean-Christophe
Les pièges trouvent leur origine dans différents types de défauts présents dans l'épitaxie et/ou provenant de la fabrication du transistor. Ce papier est dédié à la simulation physique et la caractérisation des pièges de surface et de la zo
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______166::f1650ac64568b064c6682e90505630a1
https://hal.science/hal-03745526
https://hal.science/hal-03745526
Publikováno v:
Crustaceana, 2009 Feb 01. 82(2), 141-157.
Externí odkaz:
https://www.jstor.org/stable/27743268
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Bouslama, Mohamed Amine1, Ferhi, Fehmi1, Hacheni, Faten2, Ons, Kaabia2, Abdeljelil, Khlifi2, Ben Jazia, Khaled1, Khairi, Hedi2
Publikováno v:
Pan African Medical Journal. May-Aug2018, Vol. 30, p1-5. 5p.
Autor:
Raja, P. Vigneshwara, Nallatamby, Jean-Christophe, Bouslama, Mohamed, Jacquet, Jean-Claude, Sommet, Raphael, Chang, Christophe, Lambert, Benoit
Publikováno v:
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques; 2023, Vol. 71 Issue: 5 p1957-1966, 10p
Autor:
Bouslama, Mohamed
Publikováno v:
Electronique. Université de Limoges, 2020. Français. ⟨NNT : 2020LIMO0076⟩
GaN-based HEMTs have already demonstrated their supreme potential for all high power and high frequency applications. However, this technology suffers from limitations due to complex trapping/de-trapping mechanisms that occurs in the device and that
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2592::14f2a4fc9921a61377a416ade113aacd
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-03149025
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-03149025