Zobrazeno 1 - 10
of 17
pro vyhledávání: '"Bourret-Courchesne ED"'
Publikováno v:
Kim, MG; Heitmann, TW; Mulcahy, SR; Bourret-Courchesne, ED; & Birgeneau, RJ. (2016). Structural and antiferromagnetic properties of Ba(Fe1-x-yCoxRhy)2As2 compounds. Physical Review B, 93(9). doi: 10.1103/PhysRevB.93.094520. UC Berkeley: Retrieved from: http://www.escholarship.org/uc/item/7cp9n8wp
Physical Review B, vol 93, iss 9
Physical Review B, vol 93, iss 9
© 2016 American Physical Society. We present a systematic investigation of the electrical, structural, and antiferromagnetic properties for the series of Ba(Fe1-x-yCoxRhy)2As2 compounds with fixed x≈0.027 and 0≤y≤0.035. We compare our results
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::18aa8a0099bd2ec79121c4c624a136ca
http://www.escholarship.org/uc/item/7cp9n8wp
http://www.escholarship.org/uc/item/7cp9n8wp
Publikováno v:
Physical Review B, vol 93, iss 9
We present a systematic investigation of the electrical, structural, and antiferromagnetic properties for the series of Ba(Fe1-x-yCoxRhy)2As2 compounds with fixed x≈0.027 and 0≤y≤0.035. We compare our results for the Co-Rh doped Ba(Fe1-x-yCoxRh
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______325::90180216960e50763a60f0b9c005d211
https://escholarship.org/uc/item/7cp9n8wp
https://escholarship.org/uc/item/7cp9n8wp
Publikováno v:
Journal of Applied Physics, vol 118, iss 8
Ga2(Se0.33Te0.67)3 belongs to a family of materials with large intrinsic vacancy concentrations that are being actively studied due to their potential for diverse applications that include thermoelectrics and phase-change memory. In this article, the
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::29379cac4d3c495391e48ef8fd8319c9
https://escholarship.org/uc/item/9819126x
https://escholarship.org/uc/item/9819126x
Publikováno v:
Gundiah, G; Gascón, M; Bizarri, G; Derenzo, SE; & Bourret-Courchesne, ED. (2015). Structure and scintillation of Eu2+-activated calcium bromide iodide. Journal of Luminescence, 159, 274-279. doi: 10.1016/j.jlumin.2014.11.031. Lawrence Berkeley National Laboratory: Retrieved from: http://www.escholarship.org/uc/item/4g78w4xs
© 2015, Elsevier. All rights reserved. We report the structure and scintillation properties of Eu2+-activated calcium bromide iodide. CaBr0.7I1.3was the only composition that could be synthesized in the CaBr2-CaI2system. The compound has an effectiv
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______325::b539f722c6a13606db2208b09de6b3e9
http://www.escholarship.org/uc/item/4g78w4xs
http://www.escholarship.org/uc/item/4g78w4xs
Autor:
Abdul-Jabbar, NM, Kalkan, B, Huang, G-Y, MacDowell, AA, Gronsky, R, Bourret-Courchesne, ED, Wirth, BD
Publikováno v:
Applied Physics Letters, vol 105, iss 5
We observe that pressure-induced amorphization of Ga2SeTe 2 (a III-VI semiconductor) is directly influenced by the periodicity of its intrinsic defect structures. Specimens with periodic and semi-periodic two-dimensional vacancy structures become amo
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::e618a0b3f3e8c412d05a5c7b8d492bfc
https://escholarship.org/uc/item/10n0b18s
https://escholarship.org/uc/item/10n0b18s
Publikováno v:
Abdul-Jabbar, NM; Ercius, P; Gronsky, R; Bourret-Courchesne, ED; & Wirth, BD. (2014). Probing the local environment of two-dimensional ordered vacancy structures in Ga2SeTe2via aberration-corrected electron microscopy. Applied Physics Letters, 104(5). doi: 10.1063/1.4863974. UC Berkeley: Retrieved from: http://www.escholarship.org/uc/item/09t4s10v
There has been considerable interest in chalcogenide alloys with high concentrations of native vacancies that lead to properties desirable for thermoelectric and phase-change materials. Recently, vacancy ordering has been identified as the mechanism
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______325::80e96dc6fa0e5b3fd271e224370b31f6
http://www.escholarship.org/uc/item/09t4s10v
http://www.escholarship.org/uc/item/09t4s10v
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.