Zobrazeno 1 - 10
of 2 783
pro vyhledávání: '"Bournel, A"'
Autor:
Sauget, Stéphanie
Publikováno v:
Vingtième Siècle. Revue d'histoire, 2016 Jul 01(131), 165-186.
Externí odkaz:
http://www.jstor.org/stable/44114921
Autor:
Persichetti, Luca, Giorgi, Giacomo, Lozzi, Luca, Passacantando, Maurizio, Bournel, Fabrice, Gallet, Jean-Jacques, Camilli, Luca
We investigated the reactivity of layered GeAs in the presence of oxygen and/or water using synchrotron-based X-ray photoelectron spectroscopy and ab initio calculations.
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2411.03949
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Jiyou WU1,2, Minggao CHEN1,2, Aiming TANG3, Chunying Dong1,2, Mingjun HUANG1,2, QIU LIU1,2, Yong CHENG1,2, Xujun WANG1,2
Publikováno v:
Agricultural Science & Technology. Jul2014, Vol. 15 Issue 7, p1188-1190. 3p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Solid State Electronics January 2024 211
Autor:
Jeongjin Kim, Youngseok Yu, Tae Won Go, Jean-Jacques Gallet, Fabrice Bournel, Bongjin Simon Mun, Jeong Young Park
Publikováno v:
Nature Communications, Vol 14, Iss 1, Pp 1-10 (2023)
Abstract Size- and shape-tailored copper (Cu) nanocrystals can offer vicinal planes for facile carbon dioxide (CO2) activation. Despite extensive reactivity benchmarks, a correlation between CO2 conversion and morphology structure has not yet been es
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/24efa8620a034d5f9fb01ad55ee16847
Autor:
Lomonaco, J., Rostand, N., Martinie, S., Marcandella, C., Lambert, D., Fache, T., Bournel, A.
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability December 2023 151
Autor:
Rotonnelli, Benjamin, Fernandes, Marie-Sophie Dias, Bournel, Fabrice, Gallet, Jean-Jacques, Lassalle-Kaiser, Benedikt
Publikováno v:
In Current Opinion in Electrochemistry August 2023 40
Two-dimensional (2D) van der Waals (vdW) materials provide the possibility of realizing heterostructures with coveted properties. Here, we report a theoretical investigation of the vdW magnetic tunnel junction (MTJ) based on VSe2/MoS2 heterojunction,
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1904.07499