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Autor:
Bourjot, Emilie
Pour le développement des nœuds technologiques 14 nm et en-deçà, la technologie planaire Fully Depleted Silicon-On-Isolator implémente des sources et drains (S&D) en Si1-xGex épitaxiés pour augmenter la mobilité des trous par induction d'une
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2015AIXM4312
Autor:
Montméat, Pierre, Enot, Thierry, Bond, Alice, Thiolon, Adele, Bourjot, Emilie, Fournel, Frank
Publikováno v:
ECS Meeting Abstracts; 2023, Vol. MA2023-02 Issue 1, p1609-1609, 1p
Autor:
Montméat, Pierre, Castan, Clement, Nadi, Noura, Fournel, Frank, Bourjot, Emilie, Szelag, Bertrand, Hassan, Karim, Sanchez, Loic
Publikováno v:
ECS Meeting Abstracts; 2023, Vol. MA2023-02 Issue 1, p1607-1607, 1p
Autor:
Bourjot, Emilie, Nemouchi, Fabrice, Carron, Véronique, Morand, Yves, Bernasconi, Sophie, Vinet, Maud, Damlencourt, Jean-François, Allain, Fabienne, Cueto, Olga, Lafond, Dominique
Publikováno v:
ECS Transactions; March 2013, Vol. 50 Issue: 9