Zobrazeno 1 - 10 of 213 pro vyhledávání: '"Bourgoin, J. C."'
2
Akademický článek
Conduction mechanisms in ion-irradiated InGaAs layers.
Autor: Joulaud, L., Mangeney, J., Chimot, N., Crozat, P., Fishman, G., Bourgoin, J. C.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 3/15/2005, Vol. 97 Issue 6, p063515, 7p, 7 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Radiation resistance of GaAs–GaAlAs vertical cavity surface emitting lasers.
Autor: Jabbour, J., Zazoui, M., Sun, G. C., Bourgoin, J. C., Gilard, O.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 2/15/2005, Vol. 97 Issue 4, p043517, 5p, 6 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Analysis of multijunction solar cell degradation in space and irradiation induced recombination centers.
Autor: Zazoui, M., Mbarki, M., Aldin, A. Zin, Bourgoin, J. C., Gilard, O., Strobl, G.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 5/1/2003, Vol. 93 Issue 9, p5080, 5p, 4 Charts, 5 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Energy dependence of deep level introduction in electron irradiated GaAs.
Autor: Pons, D., Mooney, P. M., Bourgoin, J. C.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Apr1980, Vol. 51 Issue 4, p2038-2042, 5p
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Crystallization in amorphous germanium.
Autor: Germain, P., Zellama, K., Squelard, S., Bourgoin, J. C., Gheorghiu, A.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Nov1979, Vol. 50 Issue 11, p6986-6994, 9p
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Crystallization in amorphous silicon.
Autor: Zellama, K., Germain, P., Squelard, S., Bourgoin, J. C., Thomas, P. A.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Nov1979, Vol. 50 Issue 11, p6995-7000, 6p
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Ionization enhanced diffusion.
Autor: Peak, D., Corbett, J. W., Bourgoin, J. C.
Publikováno v: Journal of Chemical Physics; Aug1976, Vol. 65 Issue 3, p1206-1210, 5p
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Recombination centers in electron-irradiated Czochralski silicon solar cells.
Autor: Zazoui, M., Bourgoin, J. C., Stievenard, D., Deresmes, D., Strobl, G.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 7/15/1994, Vol. 76 Issue 2, p815, 5p, 1 Diagram, 6 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Role of defects on electron transport through semiconductor barriers.
Autor: Chaabane, H., Bourgoin, J. C.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 7/1/1994, Vol. 76 Issue 1, p315, 4p, 1 Chart, 10 Graphs
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje