Zobrazeno 1 - 10
of 32
pro vyhledávání: '"Boulgheb, A."'
Autor:
S Louahchi, N Khaldoun, L Boulgheb, R Djidjik, A Galleze, R Raache, F Hanni, C Touil-Boukoffa
Publikováno v:
Lupus Science and Medicine, Vol 9, Iss Suppl 2 (2022)
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/7dc9354446b84e40998c195e9ce401e8
Publikováno v:
Russian Microelectronics. 51:192-198
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 68:479-484
This article focuses on the reduction of the self-heating (SH) effect in an advanced SiGe hetero-junction bipolar transistor (HBT) considering the Peltier effect. Bismuth Telluride is the working material for most Peltier cooling devices and thermoel
Publikováno v:
Russian Microelectronics; Jun2022, Vol. 51 Issue 3, p192-198, 7p
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices; Feb2021, Vol. 68 Issue 2, p479-484, 6p
Publikováno v:
Current Trends in Natural Sciences; 2022, Vol. 11 Issue 21, p390-398, 9p
Publikováno v:
Journal of Nano- & Electronic Physics; 2020, Vol. 12 Issue 6, p06001-1-06001-5, 5p
Робота спрямована на визначення впливу ізоляції канавок на самонагрівання та електричні характеристики біполярного транзистора з гет
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::7e3d4779fd29be577103a64731d818cf
https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/82594
https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/82594
Основною метою роботи є визначення впливу процентного вмісту германію в основі SiGe біполярного транзистора з гетеропереходом (HBT) для ан
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::03d67a65b481268254ea77da629d5f8c
https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/81172
https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/81172