Zobrazeno 1 - 10
of 20
pro vyhledávání: '"Bouazza, Benyounes"'
Publikováno v:
Journal of Electrical and Electronics Engineering, Vol 10, Iss 2, Pp 9-12 (2017)
Nowadays, GaAs-based HEMTs and pseudomorphic HEMTs are speedily replacing conventional MESFET technology in military and commercial applications including, communication, radar and automotive technologies having need of high gain, and low noise figur
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/8aff98d8242e454dad5c87daa8c67328
Publikováno v:
Sensor Letters. 16:768-775
Publikováno v:
Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics. 13:235-239
Autor:
Berrabah, Baghdadi, Sayah, Choukria, Ferouani, Souheyla, Derrouiche, Sofiane, Bouazza, Benyounes
Publikováno v:
Transactions on Electrical & Electronic Materials; Jun2021, Vol. 22 Issue 3, p290-300, 11p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Electronic Materials; Oct2018, Vol. 47 Issue 10, p6289-6296, 8p
Publikováno v:
International Journal of Electrical & Computer Engineering (2088-8708); Feb2018, Vol. 8 Issue 1, p421-428, 8p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Belhadji, Youcef, Bouazza, Benyounes
In this work, an investigation of the steady state and transient electron transport, at high electric field and high temperature, in n-type GaSb material was presented. We applied a Monte Carlo model considering the three valleys of the conduction ba
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2678::f8a9a3c40fc06d709dd19c6e4e76b5f6
http://dspace.univ-tlemcen.dz/handle/112/1596
http://dspace.univ-tlemcen.dz/handle/112/1596
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.