Zobrazeno 1 - 4
of 4
pro vyhledávání: '"Bouazza, A.G."'
The implementation of high-k gate dielectrics is one of several strategies developed to allow further miniaturization of microelectronic components. From the simulation result; it was shown that HfO2 is the best dielectric material with metal gate Ti
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2001::110c74070b4fed2c29836f7ff096d3dc
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/49697
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/49697
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.