Zobrazeno 1 - 10
of 144
pro vyhledávání: '"Boswell E"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Boswell, E, Boswell, Emily
Vacuum microelectronic (VME) devices are of interest for the development of flat-screen displays and microwave devices. In many cases, their operation depends on the field emission of electrons from micron-sized cathodes (semiconductor or metal), int
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______1064::3f8cc6128948aa041a449ec8dd4c17a6
https://ora.ox.ac.uk/objects/uuid:a4344196-7fc2-4713-b47b-85920b137759
https://ora.ox.ac.uk/objects/uuid:a4344196-7fc2-4713-b47b-85920b137759
Ionizing radiation, oxidative stress and endogenous DNA-damage processing can result in a variety of single-strand breaks with modified 5' and/or 3' ends. These are thought to be one of the most persistent forms of DNA damage and may threaten cell su
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::0de4551bb93672aec06a829afb2d2dd1
https://doi.org/10.1111/j.1742-4658.2005.04962.x
https://doi.org/10.1111/j.1742-4658.2005.04962.x
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.