Zobrazeno 1 - 10
of 109
pro vyhledávání: '"Boron implantation"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Hannu S. Laine, Jan Krügener, Barry Lai, Ville Vähänissi, Kristian Salo, Ernesto Magana, Hele Savin, Ashley E. Morishige, Zhengjun Liu, David Fenning
Publikováno v:
IEEE Journal of Photovoltaics. 8:79-88
To facilitate cost-effective manufacturing of boron-implanted silicon solar cells as an alternative to BBr3 diffusion, we performed a quantitative test of the gettering induced by solar-typical boron-implants with the potential for low saturation cur
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::207fa7ecfffde5f1c33a9349f3f878d4
https://doi.org/10.1109/jphotov.2017.2775159
https://doi.org/10.1109/jphotov.2017.2775159
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Sciences & Technologie, Vol 0, Iss 35, Pp 9-12 (2012)
The principal objective of our current work, is to study the influence of different treatment from surface which makes it possible to improve the properties of materials by technique of beam of ions (diffusion – implantation), on the distribution o
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doajarticles::398015386bd3b43221f50cb722a90047
http://revue.umc.edu.dz/index.php/a/article/view/6
http://revue.umc.edu.dz/index.php/a/article/view/6
Autor:
Raghuwanshi, Mohit, Lanterne, Adeline, Le Perchec, Jérôme, Pareige, Philippe, Cadel, Emmanuel, Gall, Samuel, Duguay, Sébastien
Publikováno v:
Progress in Photovoltaics
Progress in Photovoltaics, 2015, 23 (12), pp.1724--1733. ⟨10.1002/pip.2607⟩
Progress in Photovoltaics, Wiley, 2015, 23 (12), pp.1724--1733. ⟨10.1002/pip.2607⟩
Progress in Photovoltaics, 2015, 23 (12), pp.1724--1733. ⟨10.1002/pip.2607⟩
Progress in Photovoltaics, Wiley, 2015, 23 (12), pp.1724--1733. ⟨10.1002/pip.2607⟩
International audience; The use of ion implantation doping instead of the standard gaseous diffusion is a promising way to simplify the fabrication process of silicon solar cells. However, difficulties to form high-quality boron (B) implanted emitter
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::bb0fce08e92194792c7fa7cba5cf1cc5
https://hal.science/hal-01929136
https://hal.science/hal-01929136
