Zobrazeno 1 - 3
of 3
pro vyhledávání: '"Bornträger, Titus"'
Autor:
Lehmeyer, Johannes A. F., Fuchs, Alexander D., Li, Zhengming, Bornträger, Titus, Candolfi, Fabio, Schober, Maximilian, Fischer, Marcus, Hartmann, Martin, Neu, Elke, Bockstedte, Michel, Krieger, Michael, Weber, Heiko B.
When annealing a 4H silicon carbide (SiC) crystal, a sequence of optically active defect centers occurs among which the TS center is a prominent example. Here, we present low-temperature photoluminescence analyses on the single defect level. They rev
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2404.09618
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Lehmeyer, Johannes A.F., Fuchs, Alexander, Bornträger, Titus, Popp, Matthias, Weber, Heiko B., Krieger, Michael
Publikováno v:
Diffusion and Defect Data Part A: Defect and Diffusion Forum; June 2023, Vol. 426 Issue: 1 p17-21, 5p
