Zobrazeno 1 - 10
of 131
pro vyhledávání: '"Boos, J. Brad"'
Transistors based on III-V semiconductor materials have been used for a variety of analog and high frequency applications driven by the high electron mobilities in III-V materials. On the other hand, the hole mobility in III-V materials has always la
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1108.5507
Autor:
Bennett, Brian R., Ancona, Mario G., Champlain, James G., Papanicolaou, Nicolas A., Boos, J. Brad
Publikováno v:
In Journal of Crystal Growth 2009 312(1):37-40
Publikováno v:
In Journal of Crystal Growth 2008 311(1):47-53
Autor:
McMorrow, Dale, Boos, J. Brad, Melinger, Joseph S., Ferlet-Cavrois, Veronique, Paillet, Philippe, Duhamel, Olivier, Baggio, Jacques
Publikováno v:
In Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, B August 2007 261(1-2):1137-1141
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 2017, Vol. 121 Issue 23, p1-12, 12p
Publikováno v:
In Solid State Electronics 2005 49(12):1875-1895
Autor:
Nainani, Aneesh, Yuan, Ze, Krishnamohan, Tejas, Bennett, Brian R., Boos, J. Brad, Reason, Matthew, Ancona, Mario G., Nishi, Yoshio, Saraswat, Krishna C.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; Jul2011, Vol. 110 Issue 1, p014503, 9p, 1 Black and White Photograph, 2 Diagrams, 2 Charts, 11 Graphs
Autor:
Nainani, Aneesh, Yun Sun, Irisawa, Toshifumi, Ze Yuan, Kobayashi, Masaharu, Pianetta, Piero, Bennett, Brian. R., Boos, J. Brad, Saraswat, Krishna C.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; Jun2011, Vol. 109 Issue 11, p114908, 7p, 2 Charts, 9 Graphs
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; Aug2009, Vol. 106 Issue 3, p034504-034504-7, 7p, 1 Diagram, 7 Graphs
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.