Impact of Ge–Sb–Te compound engineering on the set operation performance in phase-change memories

Autor: Boniardi, Mattia, Ielmini, Daniele, Tortorelli, Innocenzo, Redaelli, Andrea, Pirovano, Agostino, Allegra, Mario, Magistretti, Michele, Bresolin, Camillo, Erbetta, Davide, Modelli, Alberto, Varesi, Enrico, Pellizzer, Fabio, Lacaita, Andrea L., Bez, Roberto

Publikováno v: In Solid State Electronics 2011 58(1):11-16

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Unified mechanisms for structure relaxation and crystallization in phase-change memory

Autor: Ielmini, Daniele, Boniardi, Mattia, Lacaita, ANDREA LEONARDO, Redaelli, Andrea, Pirovano, Agostino

Publikováno v: Microelectronic engineering 86 (2009): 1942–1945.
info:cnr-pdr/source/autori:D. Ielmini, M. Boniardi, A. L. Lacaita, A. Redaelli and A. Pirovano/titolo:Unified mechanisms for structure relaxation and crystallization in phase-change memory/doi:/rivista:Microelectronic engineering/anno:2009/pagina_da:1942/pagina_a:1945/intervallo_pagine:1942–1945/volume:86

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::99d7229c5db25119d0d5400fe93f7a28
http://www.cnr.it/prodotto/i/25389

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Electrical performance of phase change memory cells with Ge3Sb2Te6 deposited by molecular beam epitaxy.

Autor: Boschker, Jos E., Boniardi, Mattia, Redaelli, Andrea, Riechert, Henning, Calarco, Raffaella

Publikováno v: Applied Physics Letters; 1/12/2015, Vol. 106 Issue 2, p1-4, 4p, 1 Color Photograph, 4 Graphs