Zobrazeno 1 - 10
of 134
pro vyhledávání: '"Bonera, Emiliano"'
We design germanium-based higher-order topological cavities for terahertz applications by breaking the symmetry of a two-dimensional photonic crystal following the Su-Schrieffer-Heeger model. Calculations demonstrate the parity inversion of the elect
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2402.15622
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Bietti, Sergio, Basset, Francesco Basso, Tuktamyshev, Artur, Bonera, Emiliano, Fedorov, Alexey, Sanguinetti, Stefano
We introduce a high-temperature droplet epitaxy procedure, based on the control of the arsenization dynamics of nanoscale droplets of liquid Ga on GaAs(111)A surfaces. The use of high temperatures for the self-assembly of droplet epitaxy quantum dots
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1908.02506
Autor:
Azadmand, Mani, Vichi, Stefano, Bietti, Sergio, Chrastina, Daniel, Bonera, Emiliano, Acciarri, Maurizio, Fedorov, Alexey, Tsukamoto, Shiro, Nötzel, Richard, Sanguinetti, Stefano
We investigate effects of metal droplets on the In incorporation in InGaN epilayers grown at low temperature (450 C) by plasma assisted molecular beam epitaxy. We find a strong reduction of the In incorporation when the surface is covered by metal dr
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1907.06939
Autor:
Basset, Francesco Basso, Bietti, Sergio, Tuktamyshev, Artur, Vichi, Stefano, Bonera, Emiliano, Sanguinetti, Stefano
The control over the spectral broadening of an ensemble of emitters, mainly attributable to the size and shape dispersion and the homogenous broadening mechanisms, is crucial to several applications of quantum dots. We present a convenient self-assem
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1903.09951
Autor:
Azadmand, Mani, Barabani, Luca, Bietti, Sergio, Chrastina, Daniel, Bonera, Emiliano, Acciarri, Maurizio, Fedorov, Alexey, Tsukamoto, Shiro, Nötzel, Richard, Sanguinetti, Stefano
We investigate the effect of the formation of metal droplets on the growth dynamics of InGaN by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy (PAMBE) at low temperatures (T = 450{\deg}C). We find that the presence of droplets on the growth surface strongly
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1711.10714
Autor:
Basset, Francesco Basso, Bietti, Sergio, Reindl, Marcus, Esposito, Luca, Fedorov, Alexey, Huber, Daniel, Rastelli, Armando, Bonera, Emiliano, Trotta, Rinaldo, Sanguinetti, Stefano
Several semiconductor quantum dot techniques have been investigated for the generation of entangled photon pairs. Among the other techniques, droplet epitaxy enables the control of the shape, size, density, and emission wavelength of the quantum emit
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1710.03483
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.