Zobrazeno 1 - 6
of 6
pro vyhledávání: '"Bonchyk A.Yu."'
Publikováno v:
Archives of Metallurgy and Materials, Vol 61, Iss 1, Pp 115-122 (2016)
The paper presents the methods of obtaining photovoltaic structures based on CdXHg1-XTe graded-band-gap epitaxial layers. Barriers in these structures were formed by solid phase doping of the material with low-diffusing impurities (As). High-temperat
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/7d3ac1e41bfb4c44b9b06e491af3f4cb
Autor:
Izhnin, I.I., Voitsekhovsky, A.V., Korotaev, A.G., Fitsych, O.I., Bonchyk, A.Yu., Savytskyy, H.V., Mynbaev, K.D., Varavin, V.S., Dvoretsky, S.A., Mikhailov, N.N., Yakushev, M.V., Jakiela, R.
Publikováno v:
In Infrared Physics and Technology March 2017 81:52-58
Autor:
Izhnin, I.I., Mynbaev, K.D., Voitsekhovsky, A.V., Korotaev, A.G., Varavin, V.S., Dvoretsky, S.A., Mikhailov, N.N., Yakushev, M.V., Bonchyk, A.Yu., Savytskyy, H.V., Fitsych, O.I.
Publikováno v:
In Infrared Physics and Technology November 2015 73:158-165
Presented here are the results of studying the controlled doping with elements of V group of the periodic table, arsenic As and antimony Sb, of narrow gap CdxHg₁₋xTe epitaxial layers during the isothermal growth from the vapour phase by the evapo
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______1456::ddee3d5b9fbc95194fa1c8ea2a61c3fd
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121591
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121591
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.