Zobrazeno 1 - 10
of 28
pro vyhledávání: '"Bolotnikov, Alexander"'
Publikováno v:
Nanoindustry Russia. :110-118
Autor:
Caldwell, Joshua D., Glembocki, Orest J., Prokes, Sharka M., Glaser, Evan R., Hobart, Karl D., Hansen, Darren M., Chung, Gilyong, Bolotnikov, Alexander V., Sudarshan, Tangali S.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 5/1/2007, Vol. 101 Issue 9, p093506, 7p, 2 Diagrams, 10 Graphs
Publikováno v:
Materials Science Forum; July 2019, Vol. 963 Issue: 1 p801-804, 4p
SiC Charge-Balanced Devices Offering Breakthrough Performance Surpassing the 1-D Ron versus BV Limit
Autor:
Bolotnikov, Alexander, Losee, Peter A., Ghandi, Reza, Kennerly, Stacey, Datta, Rajib, She, Xu
Publikováno v:
Materials Science Forum; July 2019, Vol. 963 Issue: 1 p655-659, 5p
Autor:
Zhou, Xiang, Pandey, Gyanesh, Ghandi, Reza, Losee, Peter A., Bolotnikov, Alexander, Chow, T. Paul
Publikováno v:
Materials Science Forum; July 2019, Vol. 963 Issue: 1 p516-519, 4p
Publikováno v:
Materials Science Forum; June 2018, Vol. 924 Issue: 1 p573-576, 4p
Autor:
Bolotnikov, Alexander, Losee, Peter, Permuy, Alfred, Dunne, Greg, Kennerly, Stacey, Rowden, Brian, Nasadoski, Jeffrey, Harfman-Todorovic, Maja, Raju, Ravisekhar, Tao, Fengfeng, Cioffi, Philip, Mueller, Frank J., Stevanovic, Ljubisa
Publikováno v:
2015 IEEE Applied Power Electronics Conference & Exposition (APEC); 2015, p2445-2452, 8p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Kashyap, Avinash S., Sandvik, Peter, McMahon, James, Bolotnikov, Alexander, Erlbaum, Jeffrey, Andarawis, Emad
Publikováno v:
2014 IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices & Applications; 2014, p147-150, 4p
Autor:
Bolotnikov, Alexander, Losee, Peter, Matocha, Kevin, Glaser, John, Nasadoski, Jefrey, Wang, Lei, Elasser, Ahmed, Arthur, Steven, Stum, Zachary, Sandvik, Peter, Sui, Yang, Johnson, Tammy, Sabate, Juan, Stevanovic, Ljubisa
Publikováno v:
2012 24th International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs; 1/ 1/2012, p389-392, 4p