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Dissertation/ Thesis
Caractérisation et modélisation électrothermique compacte étendue du MOSFET SiC en régime extrême de fonctionnement incluant ses modes de défaillance : application à la conception d'une protection intégrée au plus proche du circuit de commande
Autor: Boige, François
Le défi de la transition vers une énergie sans carbone passe, aujourd’hui, par un recours systématique à l’énergie électrique avec au centre des échanges l’électronique de puissance. Pour être à la hauteur des enjeux, l'électronique
Externí odkaz: http://www.theses.fr/2019INPT0084/document
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Modélisation électrothermique compacte des modes de défaillance du Mosfet SiC en régime extrême de court-circuit. Application au développement d'une protection intégrée pour convertisseur sécurisé à tolérance de panne
Autor: Boige, François, Richardeau, Frédéric, Lefebvre, Stéphane
Publikováno v: Symposium de Génie Électrique, 6-8 juillet, Nantes.
Symposium de Génie Électrique
Symposium de Génie Électrique, Jul 2021, Nantes, France
National audience; Le Mosfet SiC de puissance présente des propriétés singulières en régime de court-circuit (CC) telles qu’un courant de fuite de grille important, un fort courant de saturation et deux modes de défaut complémentaires dont l
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::ca9066a51fd7561afc9aee2379021381
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03286429/document
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3
Protection rapide et robuste contre les courts-circuits internes de convertisseurs à base de MOSFETs SiC
Autor: Barazi, Yazan, Boige, François, Rouger, Nicolas, Blaquière, Jean-Marc, Vinnac, Sébastien, RICHARDEAU, Frédéric
Publikováno v: SYMPOSIUM DE GENIE ELECTRIQUE (SGE 2021), 6-8 JUILLET 2021, NANTES, FRANCE
SYMPOSIUM DE GENIE ELECTRIQUE (SGE 2021), 6-8 JUILLET 2021, NANTES, FRANCE, Jul 2021, Nantes, France
National audience; Les MOSFETs SiC ont un court temps de tenue au court-circuit par rapport aux IGBTs Silicium. Pour répondre à cette problématique, trois méthodes de détection originales sont proposées et ont été mises en oeuvre. Elles sont
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::41e731ee5116b73afdd1bafae3079fdf
https://hal.science/hal-03287704
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Semiconductor loss estimation in an innovative global power converter designer
Autor: Fontes, Guillaume, Boige, François, Morentin, Alvaro, DELAMARE, Guillaume, Videau, Nicolas, Meynard, Thierry
Publikováno v: PCIM Europe digital days 2020
PCIM Europe digital days 2020, Jul 2020, Nuremberg, Germany
International audience; This paper proposes an approach to quickly evaluate semiconductor losses. This approach combines a fast solver with ideal switch models and detailed loss data stored in multidimensional lookup-tables. This alternative offers a
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::8aac3ea82ec8b1eeb334afeec39cdba4
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03347346
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Etude de la robustesse et exploitation des défaillances de MOSFETs SiC 1200V en régime extrême de court-circuit
Autor: Boige, François, RICHARDEAU, Frédéric
Publikováno v: Ecole thématique Fiab-Surf, 2019, labellisée par le CNRS-INSIS. De la physique d'endommagement à la sûreté de fonctionnement des convertisseurs statiques, 17-21 juin 2019, Saint-Pierre d'Oléron
Ecole thématique Fiab-Surf, 2019, labellisée par le CNRS-INSIS. De la physique d'endommagement à la sûreté de fonctionnement des convertisseurs statiques, 17-21 juin 2019, Saint-Pierre d'Oléron, Jun 2019, Saint-Pierre d'Oléron, France
National audience
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::eb358cde9e56e238ca72a59afbcfd6c4
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02342941
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6
Etude des propriétés uniques des MOSFET SiC en régime de court-circuit (CC) en vue de la sécurisation de cellule de commutation
Autor: Boige, François, RICHARDEAU, Frédéric
Publikováno v: Ecole thématique Grands-Gaps, 2018, labellisée par le CNRS. Topic Matériaux Grands Gaps pour l'Electronique de Puissance : Enjeux, Intégration système et commande rapprochée
Ecole thématique Grands-Gaps, 2018, labellisée par le CNRS. Topic Matériaux Grands Gaps pour l'Electronique de Puissance : Enjeux, Intégration système et commande rapprochée, Jun 2018, Cahors, France
National audience
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::42a912b0f8672a728f2a12d3145d361f
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02342936
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Etude des propriétés uniques des MOSFET en Carbure de Silicium (SiC) en régime de court-circuit
Autor: Boige, François, RICHARDEAU, Frédéric
Publikováno v: "Analyse et mécanismes de défaillance des composants pour l'électronique", ATELIER ANADEF 2018
"Analyse et mécanismes de défaillance des composants pour l'électronique", ATELIER ANADEF 2018, Jun 2018, Hossegor, France
National audience
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::5ea4dbe0ef317b8b2261c4eac9fd1c2f
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02342934
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Investigation on damaged planar-oxide of 1200V SiC Power Mosfets in non-destructive short-circuit operation
Autor: Boige, François, Richardeau, Frédéric, Trémouilles, D., Lefebvre, S., Guibaud, G.
Publikováno v: 28th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF 2017), Sept. 25-28, 2017, Bordeaux (FRANCE)
28th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF 2017), Sept. 25-28, 2017, Bordeaux (FRANCE), 2017, Bordeaux, France
International audience
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::ebd45f7b914e7453cf09dd0bfad4ae4d
https://hal.science/hal-03937651
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Global electro-thermal modelling and circuit-type simulation of SiC Mosfet power devices in short-circuit operation for critical system analysis
Autor: Boige, François, RICHARDEAU, Frédéric, Lefebvre, Stéphane
Publikováno v: Electrimacs 2017, July 04-06, 2017, Toulouse (FRANCE)
Electrimacs 2017, July 04-06, 2017, Toulouse (FRANCE), 2017, Toulouse, France
ELECTRIMACS 2017
ELECTRIMACS 2017, Jul 2017, Toulouse, France
International audience; The purpose of this paper is to present, for the first time, a global transient electrothermal model and simulation results of commercially recent silicon carbide (SiC) power MOSFET devices. The developed models aim is faithfu
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::a3584dd973cc031cbb85c32a07b6bbba
https://hal.science/hal-03937648
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