Zobrazeno 1 - 10
of 19
pro vyhledávání: '"Bogevolnov, V. B."'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
The first study of two-dimensional electron gas in surface layers on HgMnTe with inverted bands is carried out experimentally and theoretically. It is shown that the structure of investigated capacitance magnetooscillations in HgMnTe MOS structures i
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0005498
Publikováno v:
Appl. Surf. Sci. Vol.142 p.629 1999
A new method of self-consistent quantum calculation of the density of the space charge near the surface of a crystal is carried out for the semiconductor with nonparabolic (Kane) dispersion law of bands. The remarkable feature is the solution of the
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/9908482
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Experimental & Theoretical Physics. Jan2001, Vol. 92 Issue 1, p135. 11p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Semiconductor Science & Technology; 2001, Vol. 16 Issue 5, p320-330, 11p