Zobrazeno 1 - 3
of 3
pro vyhledávání: '"Bogdan B. Prytuljak"'
Publikováno v:
SPIE Proceedings.
The influence of thermal annealing on electrical properties of p-n structures formed by ion beam milling (IBM) on vacancy doped CdxHg1-xTe (x equals 0.205) single crystals with p (77 K) equals 5.8(DOT)1015 cm-3 was investigated. After IBM of the init
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::cbf63d48273f150f2ca1982094d50fe2
https://doi.org/10.1117/12.344752
https://doi.org/10.1117/12.344752
Publikováno v:
SPIE Proceedings.
Ion beam milling effect on electrical properties of usual vacancy doped and especially In compensated p-CdxHg1-xTe has been investigated. In all cases after ion beam milling by low energy neutralized. Ar ions n-p structure with thickness of n-layers
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e5e6a0ead4e43d90ba63c2f37c70964a
https://doi.org/10.1117/12.280463
https://doi.org/10.1117/12.280463
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.