Zobrazeno 1 - 10 of 28 pro vyhledávání: '"Boesch, H. E."'
1
Akademický článek
Application of stochastic hopping transport to hole conduction in amorphous SiO2.
Autor: McLean, F. B., Ausman, G. A., Boesch, H. E., McGarrity, J. M.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Apr1976, Vol. 47 Issue 4, p1529-1532, 4p
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Two-stage process for buildup of radiation-induced interface states.
Autor: Winokur, P. S., Boesch, H. E., McGarrity, J. M., McLean, F. B.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; May1979, Vol. 50 Issue 5, p3492-3494, 3p
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Measurement of Low-Energy X-Ray Dose Enhancement in MOS Devices with Metal Silicide Gates.
Autor: Benedetto, J. M., Boesch, H. E., Oldham, T. R., Brown, G. A.
Publikováno v: IEEE Transactions on Nuclear Science; 1987, Vol. 34 Issue 6, p1540-1543, 4p
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Post-Irradiation Effects in Field-Oxide Isolation Structures.
Autor: Oldham, T. R., Lelis, A. J., Boesch, H. E., Benedetto, J. M., McLean, F. B., McGarrity, J. M.
Publikováno v: IEEE Transactions on Nuclear Science; 1987, Vol. 34 Issue 6, p1184-1189, 6p
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
The Relationship between 60Co and 10-keV X-Ray Damage in MOS Devices.
Autor: Benedetto, J. M., Boesch, H. E.
Publikováno v: IEEE Transactions on Nuclear Science; 1986, Vol. 33 Issue 6, p1317-1323, 7p
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Saturation of Threshold Voltage Shift in MOSFET's at High Total Dose.
Autor: Boesch, H. E., McLean, F. B., Benedetto, J. M., McGarrity, J. M., Bailey, W. E.
Publikováno v: IEEE Transactions on Nuclear Science; 1986, Vol. 33 Issue 6, p1191-1197, 7p
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Total Dose Indujced Hole Trapping and Interface State Generation in Bipolar Recessed Field Oxides.
Autor: Pease, R., Emily, D., Boesch, H. E.
Publikováno v: IEEE Transactions on Nuclear Science; 1985, Vol. 32 Issue 6, p3946-3952, 7p
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Hole Removal in Thin-Gate MOSFETs by Tunneling.
Autor: Benedetto, J. M., Boesch, H. E., McLean, F. B., Mize, J. P.
Publikováno v: IEEE Transactions on Nuclear Science; 1985, Vol. 32 Issue 6, p3916-3920, 5p
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Mosfet and MOS Capacitor Responses to Ionizing Radiation.
Autor: Benedetto, J. M., Boesch, H. E.
Publikováno v: IEEE Transactions on Nuclear Science; 1984, Vol. 31 Issue 6, p1461-1466, 6p
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Annealing of MOS Capacitors with Implications for Test Procedures to Determine Radiation Hardness.
Autor: Winokur, P. S., Boesch, H. E.
Publikováno v: IEEE Transactions on Nuclear Science; 1981, Vol. 28 Issue 6, p4088-4094, 7p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje