Zobrazeno 1 - 10
of 78
pro vyhledávání: '"Boeckl, John J."'
Autor:
Iacopi, Francesca, Gould, Tim, Boeckl, John J., Mishra, Neeraj, Goding, Dayle, Pradeepkumar, Aiswarya, Cunning, Benjamin V., Wood, Barry, Brock, Ryan E., Dauskardt, Reinhold H., Dimitrijev, Sima
We report macroscopic sheets of highly conductive bilayer graphene with exceptionally high hole concentrations of ~ $10^{15}$ $cm^{-2}$ and unprecedented sheet resistances of 20-25 {\Omega} per square over macroscopic scales, and obtained in-situ ove
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1503.06253
Autor:
Fairchild, Steven B., Amanatides, Chelsea E., de Assis, Thiago A., Murray, Paul T., Tsentalovich, Dmitri, Ellis, Jeffrey L., Portillo, Salvador, Kanel, Sushil R., Bulmer, John S., Park, Jeongho, Dion, Genevieve, Boeckl, John J.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 3/7/2023, Vol. 133 Issue 9, p1-9, 9p
Autor:
Islam, Ahmad Ehteshamul, Susner, Michael A., Carpena-Núñez, Jennifer, Back, Tyson C., Rao, Rahul, Jiang, Jie, Pachter, Ruth, Tenney, Samuel A., Boeckl, John J., Maruyama, Benji
Publikováno v:
In Carbon 30 September 2020 166:446-455
Autor:
Boeckl, John J.
In this dissertation we report on the structural quality of the GaAs/Ge interface for GaAs nucleation by solid source molecular beam epitaxy (MBE). Through feedback from these characterizations, optimized growth methods are established, demonstrating
Externí odkaz:
http://rave.ohiolink.edu/etdc/view?acc_num=osu1116498970
A simple, non-invasive method using Raman spectroscopy for the estimation of the thickness of graphene layers grown epitaxially on silicon carbide (SiC) is presented, enabling simultaneous determination of thickness, grain size and disorder using the
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/0807.3211
Autor:
Jiang, Jie, Pachter, Ruth, Mehmood, Faisal, Islam, Ahmad E., Maruyama, Benji, Boeckl, John J.
Publikováno v:
In Carbon August 2015 90:53-62
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Harrison, Jeremy, Sambandam, Senthil N., Boeckl, John J., Mitchel, W. C., Collins, W. E., Lu, Weijie
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 5/15/2007, Vol. 101 Issue 10, p104311, 5p, 1 Black and White Photograph, 1 Diagram, 6 Graphs
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.