Zobrazeno 1 - 10
of 338
pro vyhledávání: '"Body diode"'
Publikováno v:
Energies, Vol 17, Iss 23, p 6175 (2024)
In a converter of actual working condition, the change in the current and voltage of the power device will cause the junction temperature to fluctuate greatly. This device is subjected to high thermal stress due to the change in the junction temperat
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/cc1aebbfc5794225b2b378cacc975f42
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 12, Pp 106488-106503 (2024)
Although Gallium Nitride (GaN) Field Effect Transistor (FET) devices have found extensive application in DC-DC converters, their utilization in inverter motor drives remains an evolving area of study. In particular, the intricacies of reverse conduct
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/9581faab9fc64b85879b57b5ce735bc7
Publikováno v:
CSEE Journal of Power and Energy Systems, Vol 10, Iss 4, Pp 1710-1721 (2024)
Although the dead-time optimization design of resonant converters has been widely researched, classical design methods focus more on achieving zero-voltage switching (ZVS) operation. The body diode loss is always ignored, which results in low-efficie
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/40034377274a4567adebcc3ecb03045f
Autor:
Giuseppe Pennisi, Mario Pulvirenti, Luciano Salvo, Angelo Giuseppe Sciacca, Salvatore Cascino, Antonio Laudani, Nunzio Salerno, Santi Agatino Rizzo
Publikováno v:
Energies, Vol 17, Iss 11, p 2651 (2024)
This paper investigates the behavior of SiC MOSFETs body diode reverse recovery as a function of different operating conditions. The knowledge of their effects is crucial to properly designing and driving power converters based on SiC devices, in ord
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/0471e2c7a0b5488daa07e51a56d6b3ec
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Jiashu Qian, Limeng Shi, Michael Jin, Monikuntala Bhattacharya, Atsushi Shimbori, Hengyu Yu, Shiva Houshmand, Marvin H. White, Anant K. Agarwal
Publikováno v:
Micromachines, Vol 15, Iss 2, p 177 (2024)
The body diode degradation in SiC power MOSFETs has been demonstrated to be caused by basal plane dislocation (BPD)-induced stacking faults (SFs) in the drift region. To enhance the reliability of the body diode, many process and structural improveme
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/a977b346e73443f18f76071e80b00b6f
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Open Journal of Power Electronics, Vol 3, Pp 348-367 (2022)
This paper presents an efficient physics-based electro-thermal model that solves some advanced problems of modeling Silicon Carbide (SiC) power MOSFETs. It is the first electro-thermal model that simulates the temperature dependency of the first and
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b24aed5eca4d43d9b085aa29dc05c172
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.