Zobrazeno 1 - 10
of 796
pro vyhledávání: '"Bockowski, M"'
Autor:
Wang, Y., Huynh, K., Liao, M. E., Tweedie, J., Reddy, P., Breckenridge, M. H., Collazo, R., Sitar, Z., Bockowski, M., Huang, X., Wojcik, M., Goorsky, M. S.
Annealing Mg-implanted homoepitaxial GaN at temperatures at or above 1400 {\deg}C eliminates the formation of inversion domains and leads to improved dopant activation efficiency. Extended defects in the form of inversion domains contain electrically
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2204.10225
Publikováno v:
In Journal of Crystal Growth 1 December 2024 647
Autor:
Amilusik, M., Zajac, M., Fijalkowski, M., Iwinska, M., Sochacki, T., Wlodarczyk, D., Somakumar, A.K., Jakiela, R., Suchocki, A., Bockowski, M.
Publikováno v:
In Journal of Crystal Growth 15 April 2024 632
Autor:
Damilano, B., Aristégui, R., Teisseyre, H., Vézian, S., Guigoz, V., Courville, A., Florea, I., Vennéguès, P., Bockowski, M., Guillet, T., Vladimirova, M.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 3/7/2024, Vol. 135 Issue 9, p1-13, 13p
Autor:
Jaroszynska, A., Sierakowski, K., Jakiela, R., Turek, M., Fijalkowski, M., Sochacki, T., Bockowski, M.
Publikováno v:
In Journal of Alloys and Compounds 5 December 2023 966
Autor:
Jaroszynska, A., Grzanka, E., Grabowski, M., Staszczak, G., Prozheev, I., Jakiela, R., Tuomisto, F., Bockowski, M.
Publikováno v:
In Applied Surface Science 15 July 2023 625
Autor:
Huynh, K., Wang, Y., Liao, M. E., Tweedie, J., Reddy, P., Breckenridge, M. H., Collazo, R., Sitar, Z., Sierakowski, K., Bockowski, M., Huang, X., Wojcik, M., Goorsky, M. S.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 1/14/2024, Vol. 135 Issue 2, p1-12, 12p
Publikováno v:
In Journal of Crystal Growth 1 October 2020 547
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Kremer, R. K., Cardona, M., Schmitt, E., Blumm, J., Estreicher, S. K., Sanati, M., Bockowski, M., Grzegory, I., Suski, T., Jezowski, A.
Until recently, the heat capacity of GaN had only been measured for polycrystalline powder samples. Semiempirical as well as \textit{first-principles} calculations have appeared within the past few years. We present in this article measurements of th
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0503522