Zobrazeno 1 - 10 of 69 pro vyhledávání: '"Bloss, W.L."'
1
Akademický článek
Characteristics of GaAs buffered FET logic (BFL) MESFETs and inverters exposed to high-energy neutrons.
Autor: Rosenbluth, M., Bloss, W.L., Yamada, W.E., Janousek, B.K.
Publikováno v: IEEE Transactions on Nuclear Science; 1991, Vol. 38 Issue 1, p20-24, 5p
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Characteristics of GaAs DCFL MESFET's and inverters exposed to high-energy neutrons.
Autor: Bloss, W.L., Yamada, W.E., Rosenbluth, M.L., Janousek, B.K.
Publikováno v: IEEE Transactions on Nuclear Science; 1989, Vol. 36 Issue 6, p2443-2449, 7p
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Neutron radiation effects in GaAs junction field effect transistors.
Autor: Janousek, B.K., Yamada, W.E., Bloss, W.L.
Publikováno v: IEEE Transactions on Nuclear Science; 1988, Vol. 35 Issue 6, p1480-1486, 7p
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
High energy neutron irradiation effects in GaAs modulation-doped field effect transistors (MOSFETs): threshold voltage.
Autor: Krantz, R.J., Bloss, W.L., O'Loughlin, M.J.
Publikováno v: IEEE Transactions on Nuclear Science; 1988, Vol. 35 Issue 6, p1438-1443, 6p
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Characteristics of GaAs MESFET inverters exposed to high energy neutrons.
Autor: Bloss, W.L., Yamada, W.E., Young, A.M., Janousek, B.K.
Publikováno v: IEEE Transactions on Nuclear Science; 1988, Vol. 35 Issue 5, p1074-1079, 6p
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Subthreshold I-V characteristics of AlGaAs/GaAs MODFETs: the role of unintentional acceptors.
Autor: Krantz, R.J., Bloss, W.L.
Publikováno v: IEEE Transactions on Electron Devices; 1989, Vol. 36 Issue 11, p2593-2595, 3p
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
The role of unintentional acceptor concentration on the threshold voltage of modulation-doped field-effect transistors.
Autor: Krantz, R.J., Bloss, W.L.
Publikováno v: IEEE Transactions on Electron Devices; 1989, Vol. 36 Issue 2, p451-453, 3p
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
A gate probe method of determining parasitic resistance in MESFET's.
Autor: Holmstrom, R.P., Bloss, W.L., Chi, J.Y.
Publikováno v: IEEE Electron Device Letters; 1986, Vol. 7 Issue 7, p410-412, 3p
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Neutron degradation of the I-V characteristics of AlGaAs/GaAs modulation-doped field-effect transistors.
Autor: Krantz, R.J., Bloss, W.L., O'Loughlin, M.J.
Publikováno v: IEEE Transactions on Nuclear Science; 1991, Vol. 38 Issue 2, p858-860, 3p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje