Zobrazeno 1 - 10
of 111
pro vyhledávání: '"Blomberg, T."'
Autor:
Guillaume, N., Azzaz, M., Blonkowski, S., Jalaguier, E., Gonon, P., Vallée, C., Blomberg, T., Tuominen, M., Sprey, H., Bernasconi, S., Charpin-Nicolle, C., Nowak, E.
In this work, we propose a novel integration in order to significantly reduce the High Resistance State vari-ability and to improve thermal stability in Oxide-based Resistive Random Access Memory (OxRRAM) devices. A novel device featuring a metallic
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2010.12210
Autor:
Blomberg, T., Anttila, J., Haukka, S., Tuominen, M., Lukosius, M., Wenger, Ch., Saukkonen, T.
Publikováno v:
In Thin Solid Films 31 August 2012 520(21):6535-6540
Autor:
Toomey, B., Cherkaoui, K., Monaghan, S., Djara, V., O’Connor, É., O’Connell, D., Oberbeck, L., Tois, E., Blomberg, T., Newcomb, S.B., Hurley, P.K.
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering June 2012 94:7-10
Publikováno v:
In Thin Solid Films 1 May 2012 520(14):4576-4579
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering August 2011 88(8):2447-2451
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering 2011 88(7):1521-1524
Autor:
Kaynak, C. Baristiran, Lukosius, M., Costina, I., B.Tillack, Wenger, Ch., Ruhl, G., Blomberg, T.
Publikováno v:
In Thin Solid Films 2011 519(17):5734-5739
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Kittl, J.A., Opsomer, K., Popovici, M., Menou, N., Kaczer, B., Wang, X.P., Adelmann, C., Pawlak, M.A., Tomida, K., Rothschild, A., Govoreanu, B., Degraeve, R., Schaekers, M., Zahid, M., Delabie, A., Meersschaut, J., Polspoel, W., Clima, S., Pourtois, G., Knaepen, W., Detavernier, C., Afanas’ev, V.V., Blomberg, T., Pierreux, D., Swerts, J., Fischer, P., Maes, J.W., Manger, D., Vandervorst, W., Conard, T., Franquet, A., Favia, P., Bender, H., Brijs, B., Van Elshocht, S., Jurczak, M., Van Houdt, J., Wouters, D.J.
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering 2009 86(7):1789-1795