Zobrazeno 1 - 10
of 242
pro vyhledávání: '"Blokhin, S.A"'
Autor:
Blokhin, S.A., Karachinsky, L.Ya., Novikov, I.I., Kuznetsov, S.M., Gordeev, N.Yu., Shernyakov, Y.M., Savelyev, A.V., Maximov, M.V., Mutig, A., Hopfer, F., Kovsh, A.R., Mikhrin, S.S., Krestnikov, I.L., Livshits, D.A., Ustinov, V.M., Shchukin, V.A., Ledentsov, N.N., Bimberg, D.
Publikováno v:
In Journal of Crystal Growth 2007 301:945-950
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
null Bimberg D., null Egorov А. Yu., null Sapunov G.A., null Han S.Y., null Tian S.С., null Li H., null Ustinov V. M., null Zhumaeva I.O., null Voropaev K. O., null Denisov D. V., null Gladyshev A. G., null Bougrov V.E., null Andryushkin V.V., null Maleev N. A., null Kuzmenkov A. G., null Bobrov M. A., null Blokhin A. A., null Novikov I. I., null Karachinsky L. Ya., null Babichev A. V., null Blokhin S.A.
Publikováno v:
Semiconductors. 56:598
The results of complex studies of static and dynamic performance of 1550 nm-range VCSELs, which were created by direct bonding (wafer fusion technique) InAlGaAs/InP optical cavity wafers with AlGaAs/GaAs distributed Bragg reflector wafers grown by mo
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a09eb762ffe67f1cb5ce687452dbb1b7
https://doi.org/10.21883/sc.2022.08.54120.9890
https://doi.org/10.21883/sc.2022.08.54120.9890
Autor:
null Ustinov V. M., null Egorov A. Yu., null Voropaev K. O., null Denisov D. V., null Gladyshev A. G., null Karachinsky L. Ya., null Novikov I. I., null Babichev A. V., null Rochas S. S., null Vasyl’ev A.P., null Kuzmenkov A.G., null Maleev N.A., null Blokhin A.A., null Bobrov M. A., null Blokhin S.A.
Publikováno v:
Technical Physics Letters. 48:46
The impact of transverse optical confinement on the static and spectral characteristics of 1.55 μm vertical-cavity surface-emitting lasers (WF-VCSEL) with a buried tunnel junction (BTJ) n++-InGaAs/p++-InGaAs/p++-InAlGaAs, implemented using molecular
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a03323b4b157e6fefbd62ac2cd056f8c
https://doi.org/10.21883/tpl.2022.14.55117.18942
https://doi.org/10.21883/tpl.2022.14.55117.18942
Autor:
null Mukhin I.S., null Kuzmenkov A.G., null Blokhin S.A., null Moiseev E.I., null Fedorov V.V., null Sapunov G.A., null Mozharov A.M., null Shugurov K.Yu.
Publikováno v:
Technical Physics Letters. 48:18
A series of Schottky diodes based on single GaN nanowires has been fabricated. Based on the data of small-signal frequency analysis (parameter S21) of diode structures at various bias voltages, the parameters of the corresponding equivalent electrica
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7ea028b9cb0e75bb972388a44234e89d
https://doi.org/10.21883/tpl.2022.08.55053.19229
https://doi.org/10.21883/tpl.2022.08.55053.19229
Autor:
null Bougrov V.E., null Egorov А. Yu., null Ustinov V. M., null Zhumaeva I.O., null Voropaev K. O., null Denisov D. V., null Rochas S. S., null Andryushkin V.V., null Nevedomskiy V. N., null Nadtochiy A.M., null Kuzmenkov A.G., null Maleev N.A., null Bobrov M. A., null Blokhin A.A., null Novikov I. I., null Karachinsky L. Ya., null Gladyshev A. G., null Babichev A. V., null Blokhin S.A.
Publikováno v:
Technical Physics. 67:2432
X-ray structural analysis and photoluminescence spectroscopy techniques were used to study heterostructures based on InGaAs/InAlGaAs superlattice for active regions of 1300 nm range lasers grown by molecular beam epitaxy. It is shown that the grown h
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::eebbe308a3c14b456c801bbaa4ac917a
https://doi.org/10.21883/tp.2022.15.55271.240-21
https://doi.org/10.21883/tp.2022.15.55271.240-21
Autor:
null Ustinov V. M., null Egorov А. Yu., null Voropaev K. O., null Denisov D. V., null Gladyshev A. G., null Karachinsky L. Ya., null Novikov I. I., null Babichev A. V., null Rochas S. S., null Vasyl’ev A. P., null Kuzmenkov A.G., null Maleev N.A., null Blokhin A.A., null Bobrov M. A., null Blokhin S.A.
Publikováno v:
Technical Physics Letters. 48:3
The analysis of internal optical loss and internal quantum efficiency in 1.3 μm-range InAlGaAsP/AlGaAs a composite n+-InGaAs/p+-InGaAs/p+-InAlGaAs tunnel junction obtained in the frame of molecular-beam epitaxy and wafer fusion technology. The level
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::bb06ded5f3cdb1a82f7281b93a4fd6d0
https://doi.org/10.21883/tpl.2022.15.53808.18938
https://doi.org/10.21883/tpl.2022.15.53808.18938
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.