Zobrazeno 1 - 6
of 6
pro vyhledávání: '"Blevins, John D."'
Autor:
Neal, Adam T., Mou, Shin, Rafique, Subrina, Zhao, Hongping, Ahmadi, Elaheh, Speck, James S., Stevens, Kevin T., Blevins, John D., Thomson, Darren B., Moser, Neil, Chabak, Kelson D., Jessen, Gregg H.
Publikováno v:
Appl. Phys. Lett. 113, 062101 (2018)
We have studied the properties of Si, Ge shallow donors and Fe, Mg deep acceptors in $\beta$-Ga2O3 through temperature dependent van der Pauw and Hall effect measurements of samples grown by a variety of methods, including edge-defined film-fed (EFG)
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1809.01230
Autor:
Neal, Adam T., Mou, Shin, Rafique, Subrina, Zhao, Hongping, Ahmadi, Elaheh, Speck, James S., Stevens, Kevin T., Blevins, John D., Thomson, Darren B., Moser, Neil, Chabak, Kelson D., Jessen, Gregg H.
Publikováno v:
Applied Physics Letters; 8/6/2018, Vol. 113 Issue 6, pN.PAG-N.PAG, 5p, 2 Charts, 6 Graphs
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Chu, Kenneth K., Chao, Pane C., Diaz, Jose A., Yurovchak, Thomas, Schmanski, Bernard J., Creamer, Carlton T., Sweetland, Scott, Kallaher, Raymond L., McGray, Craig, Via, Glen D., Blevins, John D.
Publikováno v:
2015 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium (CSICS); 2015, p1-4, 4p
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Neal, Adam T.1 adam.neal.3@us.af.mil, Mou, Shin1 adam.neal.3@us.af.mil, Rafique, Subrina2, Zhao, Hongping2,3,4, Ahmadi, Elaheh5, Speck, James S.6, Stevens, Kevin T.7, Blevins, John D.8, Thomson, Darren B.8, Moser, Neil8, Chabak, Kelson D.8, Jessen, Gregg H.8
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 8/6/2018, Vol. 113 Issue 6, pN.PAG-N.PAG. 5p. 2 Charts, 6 Graphs.