Zobrazeno 1 - 10
of 57
pro vyhledávání: '"Blain, M G"'
Autor:
Sterk, J. D., Blain, M. G., Delaney, M., Haltli, R., Heller, E., Holterhoff, A. L., Jennings, T., Jimenez, N., Kozhanov, A., Meinelt, Z., Ou, E., Van Der Wall, J., Noel, C., Stick, D.
Surface ion traps with two-dimensional layouts of trapping regions are natural architectures for storing large numbers of ions and supporting the connectivity needed to implement quantum algorithms. Many of the components and operations needed to ful
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2403.00208
Publikováno v:
New J. Phys. 13 123023 (2011)
Laser-cleaning of the electrodes in a planar micro-fabricated ion trap has been attempted using ns pulses from a tripled Nd:YAG laser at 355nm. The effect of the laser pulses at several energy density levels has been tested by measuring the heating r
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1110.1486
Autor:
Allcock, D. T. C., Harty, T. P., Janacek, H. A., Linke, N. M., Ballance, C. J., Steane, A. M., Lucas, D. M., Jarecki Jr., R. L., Habermehl, S. D., Blain, M. G., Stick, D., Moehring, D. L.
Publikováno v:
Appl. Phys. B 107, 913 (2012)
We characterise the performance of a surface-electrode ion "chip" trap fabricated using established semiconductor integrated circuit and micro-electro-mechanical-system (MEMS) microfabrication processes which are in principle scalable to much larger
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1105.4864
Autor:
Moehring, D. L., Highstrete, C., Stick, D., Fortier, K. M., Haltli, R., Tigges, C., Blain, M. G.
Publikováno v:
New J.Phys.13:075018,2011
We present the design, fabrication, and experimental implementation of surface ion traps with Y-shaped junctions. The traps are designed to minimize the pseudopotential variations in the junction region at the symmetric intersection of three linear s
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1105.1834
In this paper we present the design, modeling, and experimental testing of surface electrode ion traps fabricated in a heterostructure configuration comprising a silicon substrate, silicon dioxide insulators, and aluminum electrodes. This linear trap
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1008.0990
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Menk, L.A., Josell, D., Moffat, T. P., Baca, E., Blain, M. G., Smith, A., Dominguez, J., McClain, J., Yeh, P. D., Hollowell, A. E.
Publikováno v:
Journal of the Electrochemical Society
An electrodeposition process for void-free bottom-up filling of sub-millimeter scale through silicon vias (TSVs) with Cu is detailed. The 600 μm deep and nominally 125 μm diameter metallized vias were filled with Cu in less than 7 hours under poten
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=pmid________::151f3e1f3179ab69ec867ebe4c386231
http://europepmc.org/articles/PMC7542679
http://europepmc.org/articles/PMC7542679
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of The Electrochemical Society; 2019, Vol. 166 Issue 1, pD3226-D3231, 6p