Zobrazeno 1 - 10
of 45
pro vyhledávání: '"Biswas, Robin"'
Autor:
Biswas, Robin Gopal
The electrical transport properties and device applications of certain high resolution doping structures in silicon are discussed in this thesis. The promise of enhanced device properties from a high resolution doping structure was envisaged through
Externí odkaz:
https://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.332605
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of the Institution of Engineers (India): Series A; Jun2023, Vol. 104 Issue 2, p467-472, 6p
Autor:
Alter, Miriam J., Evatt, Bruce L., Margolis, Harold S., Biswas, Robin, Epstein, Jay S., Feinstone, Stephen M., Finlayson, John S., Tankersley, Donald, Alter, Harvey J., Hoofnagle, Jay H.
Publikováno v:
Morbidity and Mortality Weekly Report: Recommendations and Reports, 1991 Apr . 40(RR-4), iii-17.
Externí odkaz:
https://www.jstor.org/stable/41992484
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Shindo, Michiko, Di Bisceglie, Adrian M., Biswas, Robin, Mihalik, Kathleen, Feinstone, Stephen M.
Publikováno v:
The Journal of Infectious Diseases, 1992 Aug 01. 166(2), 424-427.
Externí odkaz:
https://www.jstor.org/stable/30112946