Zobrazeno 1 - 4
of 4
pro vyhledávání: '"Bisht, Ramesh Singh"'
Autor:
Bisht, Ramesh Singh, Kumar, Pramod
Vertical field effect transistors (VOFETs) can offer short channel architecture which can further enhance the performance at low operating voltages which makes it more viable for organic electronics applications. VOFETs can be prepared with low-cost
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2301.09374
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Shukla G; Department of Physics, Indian Institute of Technology Bombay, Maharashtra, 400076, India., Bisht RS; Department of Physics, Indian Institute of Technology Bombay, Maharashtra, 400076, India., Kumar P; Department of Physics, Indian Institute of Technology Bombay, Maharashtra, 400076, India.
Publikováno v:
Nanotechnology [Nanotechnology] 2023 Oct 30; Vol. 35 (3). Date of Electronic Publication: 2023 Oct 30.
