Zobrazeno 1 - 10
of 46
pro vyhledávání: '"Bisewski, Damian"'
Autor:
Zarębski, Janusz1 (AUTHOR) d.bisewski@we.umg.edu.pl, Bisewski, Damian1 (AUTHOR)
Publikováno v:
Energies (19961073). Nov2023, Vol. 16 Issue 22, p7643. 16p.
Publikováno v:
Przegląd Elektrotechniczny; 2024, Vol. 2024 Issue 10, p289-293, 5p
Publikováno v:
Circuit World, 2017, Vol. 43, Issue 1, pp. 38-42.
Externí odkaz:
http://www.emeraldinsight.com/doi/10.1108/CW-10-2016-0046
Publikováno v:
Przegląd Elektrotechniczny; 2023, Vol. 2023 Issue 10, p220-223, 4p
Publikováno v:
Metrology and Measurement Systems, Vol 23, Iss 3, Pp 451-459 (2016)
This paper describes the study of thermal properties of packages of silicon carbide Schottky diodes. In the paper the packaging process of Schottky diodes, the measuring method of thermal parameters, as well as the results of measurements are present
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/7f08da099cfe4e05a94395ce869bfc4d
Publikováno v:
Przegląd Elektrotechniczny; 2023, Vol. 2023 Issue 9, p289-292, 4p
Autor:
Bargieł Kamil, Bisewski Damian
Publikováno v:
ITM Web of Conferences, Vol 19, p 01027 (2018)
In the paper, the results of experimental verification of the macromodel of UJN1208K JFET transistor made of silicon carbide fabricated by United Silicon Carbide, are presented. The macromodel form dedicated for PSPICE program is available on the man
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/a47094a32ded467694da66f935cf2aca
Autor:
BISEWSKI, Damian
Publikováno v:
Przegląd Elektrotechniczny; 2022, Vol. 98 Issue 9, p103-106, 4p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.